Investigation into the current loss in InAs/GaAs quantum dot solar cells with Si-doped quantum dots
Investigation into the current loss in InAs/GaAs quantum dot solar cells with Si-doped quantum dots
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Si掺杂量子点InAs/GaAs量子点太阳能电池电流损耗研究
DOI：
10.1088/1361-6463/ab4147
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chan S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chan S
我们以前的研究表明，在量子点（QD）中引入Si掺杂可以帮助QD太阳能电池实现更高的电压。然而，这一改善是以目前的损失为代价的。在这项工作中，我们继续调查电流损失的原因，并提出了一种方法来恢复它而不影响电压。光致发光测量已经证实，优化i区中GaAs层的厚度可以导致强电流增益（~14%），具有最小的电压损失（<3%）和QD质量的改变。电容-电压测量结果支持电流增益主要来源于耗尽宽度的增加。
Our previous studies have shown that introducing Si doping in quantum dots (QDs) can help QD solar cells achieve higher voltage. However, this improvement came at the cost of current loss. In this work, we continue to investigate the cause of the current loss and propose a method to recover it without compromising the voltage. Photoluminescence measurements have confirmed that optimizing the thickness of the GaAs layers in the i-region can lead to strong current gain (~14%) with minimal voltage loss (<3%) and alteration of the QD quality. The capacitance–voltage measurement results support that the current gain mainly originates from the increased depletion width.
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