Simulation of focused ion beam etching by coupling a topography simulator and a Monte-Carlo sputtering yield simulator
Simulation of focused ion beam etching by coupling a topography simulator and a Monte-Carlo sputtering yield simulator
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通过耦合形貌模拟器和蒙特卡罗溅射产量模拟器来模拟聚焦离子束蚀刻
DOI：
10.1016/j.mee.2009.11.007
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发表时间：
2009
影响因子：
2.3
通讯作者：
M. Rommel
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Kunder;E. Bär;M. Sekowski;P. Pichler;M. Rommel
用于 SIMS 分析的掠射离子溅射
DOI：
10.1016/j.nimb.2004.10.073
发表时间：
2005
影响因子：
1.3
作者：
M. Ullrich;A. Burenkov;H. Ryssel
通讯作者：
H. Ryssel
用于显示器应用的多晶硅有限元分析的低温制造
DOI：
10.1109/ivnc.2004.1354936
发表时间：
2004
期刊：
Technical Digest of the 17th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IEEE Cat. No.04TH8737)
影响因子：
--
作者：
M. Nagao;Y. Sacho;S. Kanemaru;T. Matsukawa;J. Itoh
通讯作者：
J. Itoh