Low-temperature epitaxy of ZnO films on Si(001) and silica by reactive e-beam evaporation
Low-temperature epitaxy of ZnO films on Si(001) and silica by reactive e-beam evaporation
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通过反应电子束蒸发在 Si(001) 和二氧化硅上低温外延 ZnO 薄膜
DOI：
10.1016/s0022-0248(00)00397-3
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发表时间：
2000-07
影响因子：
1.8
通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu HZ(吴惠桢);He KM;Qiu DJ;et al
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影响因子：
4
作者：
R. Scheer;T. Walter;H. Schock;M. Fearheiley;H. Lewerenz
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影响因子：
2.1
作者：
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P. Zu;Zikang Tang;George C. K. Wong;M. Kawasaki;A. Ohtomo;H. Koinuma;Y. Segawa
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M. Koch;P. Timbrell;R. Lamb
通讯作者：
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影响因子：
2.1
作者：
K. Ellmer;R. Cebulla;R. Wendt
通讯作者：
K. Ellmer;R. Cebulla;R. Wendt
影响因子：
2.1
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通讯作者：
S. Yamauchi;H. Handa;A. Nagayama;T. Hariu