Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy
Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长应变松弛 InGaAs 势垒的 InAs 量子点中掺杂对光载流子寿命的影响
DOI：
10.1016/j.physe.2009.11.015
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Toshiro Isu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Takahiro Kitada;Akari Mukaijo;Tomoya Takahashi;Takuya Mukai;Ken Morita;Toshiro Isu
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影响因子：
4
作者：
R. Prasanth;J. Haverkort;A. Deepthy;Ew Erik Bogaart;van der Tol;Ea Evgeni Patent;G. Zhao;Qian Gong;van Pj René Veldhoven;R. Noetzel;Jh Joachim Wolter
通讯作者：
R. Prasanth;J. Haverkort;A. Deepthy;Ew Erik Bogaart;van der Tol;Ea Evgeni Patent;G. Zhao;Qian Gong;van Pj René Veldhoven;R. Noetzel;Jh Joachim Wolter
双光子谐振非线性响应无图案效应的 AlGaAs/AlAs 多层结构的光学克尔门开关
DOI：
10.1002/pssc.200564114
发表时间：
2006
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
T. Isu;K. Akiyama;N. Tomita;T. Nishimura;Y. Nomura;K. Kanamoto
通讯作者：
K. Kanamoto
通过提高 GaAs/AlAs 多层腔中的品质因数显着增强光学克尔信号
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Ken Morita;et al.
通讯作者：
et al.
通过独特的双色泵浦/探针椭偏偏振分析测量 InAs 量子点中的非线性光学相移
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Nakamura;K. Kanamoto;Y. Nakamura;S. Ohkouchi;H. Ishikawa;K. Asakawa
通讯作者：
K. Asakawa
嵌入应变弛豫 In0.35Ga0.65As 势垒中的自组装 InAs 量子点的快速载流子弛豫，用于超快非线性光开关应用
影响因子：
1.8
作者：
T. Kitada;Takuya Mukai;Tomoya Takahashi;K. Morita;T. Isu
通讯作者：
T. Isu