High temperature oxidation kinetics of amorphous silicoboron carbonitride monoliths and silica scale growth mechanisms determined by SIMS
High temperature oxidation kinetics of amorphous silicoboron carbonitride monoliths and silica scale growth mechanisms determined by SIMS
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SIMS 测定非晶硅硼碳氮化物整体的高温氧化动力学和硅垢生长机制
DOI：
10.1016/j.corsci.2017.04.002
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发表时间：
2017-07
影响因子：
8.3
通讯作者：
Zhou Yu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liang Bin;Jia Dechang;Miao Yang;Zhu Qishuai;Liao Xingqi;Yang Zhihua;Zhou Yu
高密度、无定形碳氮化硅(Si-B-C-N)整体在1600℃以上具有优异的抗氧化性，但深度氧化动力学尚不清楚。本文研究了非晶态Si-B-C-N单块在1500-1700℃范围内的一步氧化动力学。同时，以16O为示踪剂，在富氧空气中氧化陶瓷，研究了陶瓷表面氧化膜的生长机理，并用二次离子质谱仪(SIMS)直接测定了氧化膜中16O和18O的分布。在1500℃(32.5gμm~2·−~(-1))和1600℃(86.1m~2·μ~2·−~(-1))下氧化16h内，氧化膜的厚度变化符合抛物线规律，但在1700℃时无规律性。计算得到的氧化活化能约为116kJ·−~(-1)。SIMS分析的16O相对浓度分布表明，在非晶态Si-B-C-N陶瓷的氧化过程中，氧化膜的生长主要是通过氧化膜内部的氧晶格扩散实现的。
The highly dense, amorphous silicoboron carbonitride (Si-B-C-N) monoliths provide superior oxidation resistance above 1600 °C, but the in-depth oxidation kinetics are unknown. Here oxidation kinetics of amorphous Si-B-C-N monoliths was investigated by one-step oxidation (in flowing16O-rich air) over 1500–1700 °C. Coincidently, the growth mechanisms of oxide scales on ceramic surfaces were studied by oxidizing ceramics in18O-rich air followed by16O where16O was used as an equivalent isotopic tracer and the distributions of16O and18O in oxide scales were determined directly by secondary ion mass spectrometry (SIMS). The thickness changes of silica scales fit well to parabolic rules at 1500 °C (32.5 μm2h−1) and 1600 °C (86.1 μm2h−1) within 16 h, but are irregular at 1700 °C. The calculated Arrhenius activation energy is ca. 116 kJ mol−1for 1500–1600 °C/16 h oxidation. The relative concentration profiles of16O from SIMS analysis indicate growth of oxide scales is mainly by oxygen lattice diffusion inside scales during oxidation of the amorphous Si-B-C-N ceramics.
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影响因子：
3.9
作者：
T. Narushima;T. Goto;T. Hirai
通讯作者：
T. Narushima;T. Goto;T. Hirai
DOI：
--
发表时间：
1995-12
期刊：
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影响因子：
--
作者：
H. Baldus;G. Passing;D. Sporn;A. Thieraf
通讯作者：
H. Baldus;G. Passing;D. Sporn;A. Thieraf
影响因子：
3.9
作者：
Z. Zheng;R. E. Tressler;K. E. Spear
通讯作者：
Z. Zheng;R. E. Tressler;K. E. Spear
影响因子：
5.7
作者：
A. Müller;P. Gerstel;E. Butchereit;K. Nickel;F. Aldinger
通讯作者：
A. Müller;P. Gerstel;E. Butchereit;K. Nickel;F. Aldinger
影响因子：
3.9
作者：
Bharadwaj, L;Fan, Y;An, LN
通讯作者：
An, LN