Communication—Electrochemical Atomic Layer Etching of Copper
Communication—Electrochemical Atomic Layer Etching of Copper
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通信 – 铜的电化学原子层蚀刻
DOI：
10.1149/2.0901807jes
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发表时间：
2018
影响因子：
3.9
通讯作者：
Akolkar, Rohan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gong, Yukun;Venkatraman, Kailash;Akolkar, Rohan
提出了一种新的铜（Cu）电化学原子层刻蚀（e-ALE）工艺。在这个过程中，Cu首先经历表面有限的硫化，形成一层硫化铜（cu2s）。然后在盐酸中选择性地蚀刻cu2s层，而不蚀刻下面的Cu。铜的表面有限硫化和Cu 2 S的选择性蚀刻步骤依次重复，以实现每个e-ALE循环的净蚀刻速率接近一个Cu单层。表面限制蚀刻显示，以尽量减少粗糙度放大，从而保持原始铜电极的近原子平面。
A novel process for the electrochemical atomic layer etching (e–ALE) of copper (Cu) is presented. In this process, Cu first undergoes surface-limited sulfidization to form a monolayer of copper sulfide (Cu 2 S). The Cu 2 S layer is then selectively etched in hydrochloric acid without etching the underlying Cu. The steps of surface-limited sulfidization of Cu and selective etching of the resulting Cu 2 S are repeated sequentially to achieve a net etch rate of close to one Cu monolayer etched per e–ALE cycle. Surface-limited etching is shown to minimize roughness amplification thereby preserving the near-atomic flatness of the original Cu electrode.
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