InAs avalanche photodiodes for X-ray detection
InAs avalanche photodiodes for X-ray detection
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用于 X 射线检测的 InAs 雪崩光电二极管
DOI：
10.1088/1748-0221/6/12/p12005
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发表时间：
2011
影响因子：
1.3
通讯作者：
Gomes R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gomes R
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55Fe 的半衰期和 X 射线发射概率。
DOI：
10.1016/s0969-8043(00)00166-4
发表时间：
2000
期刊：
Applied radiation and isotopes : including data, instrumentation and methods for use in agriculture, industry and medicine
影响因子：
--
作者：
U. Schötzig
通讯作者：
U. Schötzig
由液相外延生长晶体制成的 InSb 辐射探测器的 α 粒子响应
影响因子：
2
作者：
Y. Sato;Y. Morita;Tomoyuki Harai;I. Kanno
通讯作者：
I. Kanno
新型光子和电子器件的带隙工程
DOI：
10.1016/0168-9002(88)91062-5
发表时间：
1988
影响因子：
1.4
作者：
F. Capasso
通讯作者：
F. Capasso
DOI：
10.1016/s0168-9002(96)00474-3
发表时间：
1996-10-01
影响因子：
1.4
作者：
Bertuccio, G;Pullia, A;DeGeronimo, G
通讯作者：
DeGeronimo, G
死区对X射线雪崩光电二极管雪崩增益分布的影响
影响因子：
3.1
作者：
Gomes R
通讯作者：
Gomes R