Demonstration of UV-Induced Threshold Voltage Instabilities in Vertical GaN Nanowire Array-Based Transistors
Demonstration of UV-Induced Threshold Voltage Instabilities in Vertical GaN Nanowire Array-Based Transistors
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垂直 GaN 纳米线阵列晶体管中紫外线引起的阈值电压不稳定性的演示
DOI：
10.1109/ted.2019.2904851
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
Enrico Zanoni
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Ruzzarin;M. Meneghini;Carlo de Santi;Andrea Neviani;Feng Yu;Klaas Strempel;Muhammad Fahlesa Fatahilah;Bernd Witzigmann;Hutomo Suryo Wasisto;Andreas Waag;Gaudenzio Meneghesso;Enrico Zanoni
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DOI：
--
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通讯作者：
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