The description of charge transfer in fast negative ions scattering on water covered Si(100) surfaces
The description of charge transfer in fast negative ions scattering on water covered Si(100) surfaces
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水覆盖的Si(100)表面上快速散射负离子的电荷转移描述
DOI：
10.1016/j.apsusc.2016.06.132
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发表时间：
2016-11
影响因子：
6.7
通讯作者：
Chen Ximeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Lin;Qiu Shunli;Liu Pinyang;Xiong Feifei;Lu Jianjie;Liu Yuefeng;Li Guopeng;Liu Yiran;Ren Fei;Xiao Yunqing;Gao Lei;Zhao Qiushuang;Ding Bin;Li Yuan;Guo Yanling;Chen Ximeng
掺杂对半导体电子器件的特性和性能产生了显着影响。在这项工作中，我们研究了8.5-22.5 keV的C−和F−离子在两种不同掺杂浓度的H2O终止的p型Si（100）表面上散射的电荷转移过程。我们发现，在这个相对较高的能量范围内的快速碰撞的负离子形成的掺杂没有影响。此外，我们建立了一个模型来计算负离子分数，包括正离子的贡献。计算结果支持电荷转移的非绝热特性。
Doping has significantly affected the characteristics and performance of semiconductor electronic devices. In this work, we study the charge transfer processes for 8.5–22.5 keV C−and F−ions scattering on H2O-terminated p-type Si(100) surfaces with two different doping concentrations. We find that doping has no influence on negative-ion formation for fast collisions in this relatively high energy range. Moreover, we build a model to calculate negative ion fractions including the contribution from positive ions. The calculations support the nonadiabatic feature of charge transfer.
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影响因子：
3.7
作者：
KARLSSON, CJ;LANDEMARK, E;UHRBERG, RIG
通讯作者：
UHRBERG, RIG
影响因子：
1.9
作者：
E. A. García;C. Pascual;P. Bolcatto;M. Passeggi;E. C. Goldberg
通讯作者：
E. A. García;C. Pascual;P. Bolcatto;M. Passeggi;E. C. Goldberg
DOI：
10.1049/ep.1970.0039
发表时间：
1970
期刊：
Electronics and Power
影响因子：
--
作者：
G. Pridham
通讯作者：
G. Pridham
影响因子：
3.7
作者：
R. Gann;Z. Šroubek;J. Yarmoff
通讯作者：
R. Gann;Z. Šroubek;J. Yarmoff
影响因子：
3.7
作者：
HIMPSEL, FJ;HOLLINGER, G;POLLAK, RA
通讯作者：
POLLAK, RA