Crystal growth and characterization of Sr3TaGa3Si2O14 single crystals
Crystal growth and characterization of Sr3TaGa3Si2O14 single crystals
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Sr3TaGa3Si2O14 单晶的晶体生长和表征
DOI：
10.1088/0022-3727/42/8/085112
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发表时间：
2009-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang shujun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuan duorong;Zhao xian;Yu fapeng;Duan xiulan;Guo shiyi;Zhang shujun
采用传统的提拉法沿着Y轴生长了高质量的Sr3TaGa3Si2O 14压电单晶。通过阿基米德法测得质量密度为5.121 g cm−3。相对介电常数、压电应变、
High quality piezoelectric single crystals Sr3TaGa3Si2O14 were grown using the conventional Czochralski method along the Y-axis. The mass density was found to be 5.121 g cm−3 by the Archimedes method. The relative dielectric constants, piezoelectric strai
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影响因子：
1.8
作者：
Zengmei Wang;D. Yuan;A. Wei;H. Qi;Xuzhong Shi;D. Xu;M. Lü
通讯作者：
Zengmei Wang;D. Yuan;A. Wei;H. Qi;Xuzhong Shi;D. Xu;M. Lü
影响因子：
5.4
作者：
H. Takeda;J. Sato;T. Kato;K. Kawasaki;H. Morikoshi;K. Shimamura;T. Fukuda
通讯作者：
H. Takeda;J. Sato;T. Kato;K. Kawasaki;H. Morikoshi;K. Shimamura;T. Fukuda
影响因子：
1.8
作者：
hai-kuai Kong;Ji-yang Wang;Huaijin Zhang;Xin Yin;Xiu-feng Cheng;Lei Gao;Xiaobo Hu;Xiangang Xu;M. Jiang
通讯作者：
hai-kuai Kong;Ji-yang Wang;Huaijin Zhang;Xin Yin;Xiu-feng Cheng;Lei Gao;Xiaobo Hu;Xiangang Xu;M. Jiang
DOI：
10.1002/pssa.200306627
发表时间：
2003-08
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
R. Heimann;M. Hengst;M. Rossberg;J. Bohm
通讯作者：
R. Heimann;M. Hengst;M. Rossberg;J. Bohm
影响因子：
1.8
作者：
Bohm, J;Chilla, E;Straube, U
通讯作者：
Straube, U