Phase‐Engineered Synthesis of Ultrathin Hexagonal and Monoclinic GaTe Flakes and Phase Transition Study
Phase‐Engineered Synthesis of Ultrathin Hexagonal and Monoclinic GaTe Flakes and Phase Transition Study
复制标题
超薄六方和单斜栅片的相工程合成及相变研究
DOI：
10.1002/adfm.201901012
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发表时间：
2019-04
影响因子：
19
通讯作者：
Tianyou Zhai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yiwei Yu;Meng Ran;Shasha Zhou;Renyan Wang;Fengya Zhou;Huiqiao Li;Lin Gan;Mingqiang Zhu;Tianyou Zhai
GaTe是一种重要的具有直接带隙的III-VI族半导体；因此，它在光电领域具有巨大的潜力。尽管已知GaTe可以以单斜相和六方相存在，但目前的研究仍然完全限制
GaTe is an important III–VI semiconductor with direct bandgap; thus, it holds great potential in the field of optoelectronics. Although it is known that GaTe can exist both in monoclinic and hexagonal phases, current studies are still exclusively restrict
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