ON current boosting in Silicon-based Tunnel FETs Utilizing Isoelectronic Trap Technology
ON current boosting in Silicon-based Tunnel FETs Utilizing Isoelectronic Trap Technology
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利用等电子陷阱技术提高硅基隧道 FET 的导通电流
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Nakayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mori;Y. Morita;S. Migita;K. Hukuda;Q. Mizubayashi;T. Yasuda;M. Masahoku;T. Matsukawa;H. Ota;S. Moriyama;K. Ono;S. Iizuka;T. Nakayama
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氧与硅中第 II 族杂质 Be、Cd 和 Zn 的络合
DOI：
10.1016/0921-5107(95)01290-7
发表时间：
1996
影响因子：
3.6
作者：
S. E. Daly;E. McGlynn;M. Henry;J. D. Campion;K. McGuigan;M. Carmo;M. Nazare
通讯作者：
M. Nazare
隧道场效应晶体管中亚阈值摆幅的意外等效氧化物厚度依赖性
影响因子：
2.3
作者：
T. Mori;T. Yasuda;K. Fukuda;Y. Morita;S. Migita;A. Tanabe;T. Maeda;W. Mizubayashi;S. O'Uchi;Yongxun Liu;M. Masahara;N. Miyata;H. Ota
通讯作者：
H. Ota
通过减少双极性，提高 SiGe/Si 异质结构纳米线 TFET 的隧道 FET 逆变器性能
影响因子：
1.7
作者：
S. Richter;S. Trellenkamp;A. Schafer;J. Hartmann;K. Bourdelle;Qing;S. Mantl
通讯作者：
S. Mantl
超低压八晶体管隧道FET静态随机存储器静态噪声容限封闭解析模型
影响因子：
1.5
作者：
H. Fuketa;S. O'Uchi;K. Fukuda;T. Mori;Y. Morita;M. Masahara;T. Matsukawa
通讯作者：
T. Matsukawa
使用具有均匀功函数的非晶金属栅极抑制双栅鳍式场效应晶体管的阈值电压变化
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Matsukawa;Yongxun Liu;W. Mizubayashi;J. Tsukada;H. Yamauchi;K. Endo;Y. Ishikawa;S. O'Uchi;H. Ota;S. Migita;Y. Morita;M. Masahara
通讯作者：
M. Masahara