Influence of uniaxial stress on phonon-assisted relaxation in bismuth-doped silicon
Influence of uniaxial stress on phonon-assisted relaxation in bismuth-doped silicon
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单轴应力对掺铋硅中声子辅助弛豫的影响
DOI：
10.1063/1.5134691
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
V. N. Shastin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Kh. Zhukavin;S. G. Pavlov;N. Stavrias;K. Saeedi;K. A. Kovalevsky;P. J. Phillips;V. V. Tsyplenkov;N. V. Abrosimov;H. Riemann;N. Deβmann;H.-W. Hübers;V. N. Shastin
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Thewalt ML