Transition from semiconducting to metallic-like conducting and weak antilocalization effect in single crystals of LuPtSb
Transition from semiconducting to metallic-like conducting and weak antilocalization effect in single crystals of LuPtSb
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LuPtSb单晶从半导体到类金属导电的转变和弱反定域效应
DOI：
10.1063/1.4914545
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发表时间：
2015-01
影响因子：
4
通讯作者：
Guangheng Wu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhipeng Hou;Yue Wang;Guizhou Xu;Xiaoming Zhang;Enke Liu;Wenquan Wang;Zhongyuan Liu;Xuekui Xi;Wenhong Wang;Guangheng Wu
采用 Pb 熔剂法合成了高质量的 LuPtSb 半霍斯勒单晶。温度依赖性电阻率和霍尔效应表明 LuPtSb 晶体是一种 p 型无带隙半导体，在 150 K 时表现出从半导体到金属导电的转变。此外，在低于 150 K 的温度下实验观察到了高达 109 % 的弱温度依赖性正磁阻 (MR) 和高达 2950 cm2/Vs 的高载流子迁移率。低场 MR 数据显示了在温度下存在弱反局域化 (WAL) 效应的证据甚至高达 150 K。对温度和角度相关磁导的分析表明，WAL 效应源于强自旋轨道耦合的体贡献。
High quality half-Heusler single crystals of LuPtSb have been synthesized by a Pb flux method. The temperature dependent resistivity and Hall effects indicate that the LuPtSb crystal is a p-type gapless semiconductor showing a transition from semiconducting to metallic conducting at 150 K. Moreover, a weakly temperature-dependent positive magnetoresistance (MR) as large as 109 % and high carrier mobility up to 2950 cm2/Vs are experimentally observed at temperatures below 150 K. The low-field MR data shows evidence for weak antilocalization (WAL) effect at temperatures even up to 150 K. Analysis of the temperature and angle dependent magnetoconductance manifests that the WAL effect originates from the bulk contribution owing to the strong spin-orbital coupling.
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A. Taskin;S. Sasaki;K. Segawa;Y. Ando
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