Magnetic skyrmions and domain walls for logical and neuromorphic computing
Magnetic skyrmions and domain walls for logical and neuromorphic computing
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用于逻辑和神经形态计算的磁性斯格明子和畴壁
DOI：
10.1088/2634-4386/acc6e8
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hassan, Naimul
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hu, Xuan;Cui, Can;Liu, Samuel;Garcia-Sanchez, Felipe;Brigner, Wesley H;Walker, Benjamin W;Edwards, Alexander J;Xiao, T Patrick;Bennett, Christopher H;Hassan, Naimul
拓扑孤子是下一代计算系统物理实现的令人兴奋的候选者。由于这些孤子是纳米级的，并且可以以最小的能耗进行控制，因此它们非常适合满足大数据处理和存储时代的新兴计算需求。磁畴壁（DW）和磁skyrmion是两种类型的拓扑孤子，鉴于它们的非易失性、可扩展性、丰富的物理相互作用以及表现出非线性行为的能力，它们对于下一代计算系统特别令人兴奋。在这里，我们总结了基于磁拓扑孤子的计算系统的发展，突出了逻辑和神经形态计算与磁DW和skyrmions。
Topological solitons are exciting candidates for the physical implementation of next-generation computing systems. As these solitons are nanoscale and can be controlled with minimal energy consumption, they are ideal to fulfill emerging needs for computing in the era of big data processing and storage. Magnetic domain walls (DWs) and magnetic skyrmions are two types of topological solitons that are particularly exciting for next-generation computing systems in light of their non-volatility, scalability, rich physical interactions, and ability to exhibit non-linear behaviors. Here we summarize the development of computing systems based on magnetic topological solitons, highlighting logical and neuromorphic computing with magnetic DWs and skyrmions.
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DOI：
10.1007/978-3-319-59936-6_2
发表时间：
2017
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Frank
通讯作者：
M. Frank
使用快速、全静态、全绝热 CMOS 进行可逆计算
DOI：
10.1109/icrc2020.2020.00014
发表时间：
2020
期刊：
2020 International Conference on Rebooting Computing (ICRC)
影响因子：
--
作者：
M. Frank;R. Brocato;B. Tierney;N. Missert;Alexander H. Hsia
通讯作者：
Alexander H. Hsia
内在横向抑制促进神经形态计算领域壁跑道阵列中的赢家通吃
DOI：
10.1109/iscas48785.2022.9937784
发表时间：
2022
期刊：
2022 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS
影响因子：
--
作者：
Cui, Can;Akinola, Otitoaleke G.;Hassan, Naimul;Bennett, Christopher H.;Marinella, Matthew J.;Friedman, Joseph S.;Incorvia, Jean Anne
通讯作者：
Incorvia, Jean Anne
具有独立读写路径的四端磁逻辑器件的实验演示
DOI：
10.1109/iedm.2014.7047159
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
D. Bromberg;M. Moneck;V. Sokalski;J. Zhu;L. Pileggi;J. Zhu
通讯作者：
J. Zhu
DOI：
10.1109/iscas45731.2020.9180675
发表时间：
2020-10
期刊：
2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)
影响因子：
--
作者：
Xuan Hu;Alexander J. Edwards;T. Xiao;C. Bennett;J. Incorvia;M. Marinella;J. Friedman
通讯作者：
Xuan Hu;Alexander J. Edwards;T. Xiao;C. Bennett;J. Incorvia;M. Marinella;J. Friedman