Current Balancing of Parallel-Connected SiC devices using Active Gate Control
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使用有源栅极控制的并联 SiC 器件的电流平衡
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ravi nath Tripathi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daiki Yamaguchi;Shinji Sato;Atsushi Yao;Hiroshi Sato;Ravi nath Tripathi
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DOI：
10.1587/elex.7.1008
发表时间：
2010
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通讯作者：
Takashi Nakamura
迈向绿色未来：适用于广泛应用的高效 SiC 功率器件
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发表时间：
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.1016/j.microrel.2019.113426
发表时间：
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影响因子：
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作者：
R. Tripathi;M. Tsukuda;I. Omura
通讯作者：
I. Omura