Test of Supply Noise for Emerging Non-Volatile Memory
Test of Supply Noise for Emerging Non-Volatile Memory
复制标题
新兴非易失性存储器的电源噪声测试
DOI：
10.1109/test.2018.8624896
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ghosh, Swaroop
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Khan, Mohammad Nasim;Ghosh, Swaroop
登录
查看更多内容
用于 STTRAM 保持力和磁容差测试的新型磁力老化
DOI：
10.1109/tvlsi.2018.2820508
发表时间：
2018
期刊：
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI
影响因子：
--
作者：
Khan, Mohammad Nasim;Iyengar, Anirudh S.;Ghosh, Swaroop
通讯作者：
Ghosh, Swaroop
DOI：
10.1109/tvlsi.2009.2029114
发表时间：
2011
影响因子：
2.8
作者：
S. Mukhopadhyay;R. Rao;Jae-Joon Kim;C. Chuang
通讯作者：
S. Mukhopadhyay;R. Rao;Jae-Joon Kim;C. Chuang
新兴非易失性存储器的安全性：攻击与防御
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
IEEE VLSI Test Symposium
影响因子：
--
作者：
Kaveh Shamsi;Yier Jin
通讯作者：
Yier Jin
新兴非易失性存储器的信息泄露攻击及对策
DOI：
10.1145/3218603.3218649
发表时间：
2018
期刊：
International Symposium on Low Power Electronics and Design
影响因子：
--
作者：
Khan, Mohammad Nasim;Ghosh, Swaroop
通讯作者：
Ghosh, Swaroop
阻变随机存取存储器（RRAM）的最新进展
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
影响因子：
--
作者：
Yi Wu;Shimeng Yu;X. Guan;H. Wong
通讯作者：
H. Wong