Two Device Screen Grid Field Effect Transistor Logic
Two Device Screen Grid Field Effect Transistor Logic
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两个器件屏幕网格场效应晶体管逻辑
DOI：
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发表时间：
2008
影响因子：
3.5
通讯作者：
Shadrokh Y.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shadrokh Y.
新型 3D 嵌入式栅极场效应晶体管：屏栅 FET：器件概念和建模
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Fobelets;P. W. Ding;J. Velazquez
通讯作者：
J. Velazquez
具有对称 DG 负载的双栅极 (DG)-SOI 比率逻辑——一种用于 50 nm 以下低压/低功耗电路设计的新颖方法
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Mitra;A. Salman;D. Ioannou;C. Tretz;D. Ioannou
通讯作者：
D. Ioannou
工程教育中数字噪声和噪声容限问题的教学
影响因子：
2.6
作者：
J. Yuan;Li Yang
通讯作者：
Li Yang