Charge transport performance of high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al
Charge transport performance of high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al
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In/Al掺杂高阻CdZnTe晶体的电荷传输性能
DOI：
10.1088/1674-4926/30/8/082002
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发表时间：
2009-08
影响因子：
5.1
通讯作者：
Wang, Tao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu, Lingyan;Jie, Wanqi;Sellin, P.;Fu, Li;Xu, Yadong;Zha, Gangqiang;Wang, Tao
为了评价掺In/Al的高阻α晶体的电荷输运特性，在室温下用未准直的241Am(5.48 MeV)放射源测量了晶体的能谱响应。电子MOBI
To evaluate the charge transport properties of as-grown high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al, the α particle spectroscopic response was measured using an un-collimated 241Am (5.48 MeV) radioactive source at room temperature. The electron mobi
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影响因子：
1.8
作者：
Ge Yang;W. Jie;Qiang Li;Tao Wang;Guoqiang Li;Hui Hua
通讯作者：
Ge Yang;W. Jie;Qiang Li;Tao Wang;Guoqiang Li;Hui Hua
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
G. Knoll
通讯作者：
G. Knoll
DOI：
10.1088/0022-3727/42/3/035105
发表时间：
2009-02
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Yadong Xu;W. Jie;P. Sellin;Tao Wang;Weihua Liu;G. Zha;P. Veeramani;C. Mills
通讯作者：
Yadong Xu;W. Jie;P. Sellin;Tao Wang;Weihua Liu;G. Zha;P. Veeramani;C. Mills
影响因子：
3.7
作者：
Du, Mao-Hua;Takenaka, Hiroyuki;Singh, David J.
通讯作者：
Singh, David J.
DOI：
10.1109/nssmic.2003.1352661
发表时间：
2003-10
期刊：
2003 IEEE Nuclear Science Symposium. Conference Record (IEEE Cat. No.03CH37515)
影响因子：
--
作者：
M. Fiederle;A. Fauler;J. Konrath;V. Babentsov;J. Franc;R. James
通讯作者：
M. Fiederle;A. Fauler;J. Konrath;V. Babentsov;J. Franc;R. James