X-ray Based in Situ Investigation of Silicon Growth Mechanism Dynamics—Application to Grain and Defect Formation
X-ray Based in Situ Investigation of Silicon Growth Mechanism Dynamics—Application to Grain and Defect Formation
复制标题
基于 X 射线的硅生长机制动力学原位研究在晶粒和缺陷形成中的应用
DOI：
10.3390/cryst10070555
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Isabelle Périchaud
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hadjer Ouaddah;Maike Becker;Thècle Riberi-Béridot;Maria Tsoutsouva;Vasiliki Stamelou;Gabrielle Regula;Guillaume Reinhart;Isabelle Périchaud
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影响因子：
1.8
作者：
V. A. Oliveira;M. Rocha;A. Lantreibecq;M. Tsoutsouva;T. Tran-Thi;J. Baruchel;D. Camel
通讯作者：
V. A. Oliveira;M. Rocha;A. Lantreibecq;M. Tsoutsouva;T. Tran-Thi;J. Baruchel;D. Camel
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
Nathalie Mangelinck;Étienne Pihan
通讯作者：
Étienne Pihan
红外热成像原位观察硅熔体滴在硅片上的凝固行为
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Nagashio;H. Murata;K. Kuribayashi
通讯作者：
K. Kuribayashi
影响因子：
1.8
作者：
Thècle Riberi-Béridot;N. Mangelinck-Noël;A. Tandjaoui;G. Reinhart;B. Billia;T. Lafford;J. Baruchel;L. Barrallier
通讯作者：
Thècle Riberi-Béridot;N. Mangelinck-Noël;A. Tandjaoui;G. Reinhart;B. Billia;T. Lafford;J. Baruchel;L. Barrallier
影响因子：
9.4
作者：
M. Tsoutsouva;T. R. –. Béridot;G. Regula;G. Reinhart;J. Baruchel;F. Guittonneau;L. Barrallier;N. Mangelinck-Noël
通讯作者：
M. Tsoutsouva;T. R. –. Béridot;G. Regula;G. Reinhart;J. Baruchel;F. Guittonneau;L. Barrallier;N. Mangelinck-Noël