Photoluminescence Characteristics of MOCVD Grown-InAs Quantum Dots Covered by GaInP
Photoluminescence Characteristics of MOCVD Grown-InAs Quantum Dots Covered by GaInP
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GaInP 覆盖的 MOCVD 生长 InAs 量子点的光致发光特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小山二三夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鈴木亮一郎;宮本智之;仙石知行;根本幸祐;田辺悟;小山二三夫
自组装 InAs 量子点异质结构中应变引起的波长偏移的矩阵依赖性
影响因子：
4
作者：
N. Yeh;T. Nee;J. Chyi;T. Hsu;Chih
通讯作者：
Chih
影响因子：
2.5
作者：
Mukai, K;Nakata, Y;Ishikawa, H
通讯作者：
Ishikawa, H
使用薄上限制层调节 InAs 量子点发射能量的机制
影响因子：
4
作者：
Z. Sun;S. Yoon;W. Loke;C. Liu
通讯作者：
C. Liu