Simulation tool for optimization of digital active gate drive sequence using genetic algorithm
Simulation tool for optimization of digital active gate drive sequence using genetic algorithm
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使用遗传算法优化数字有源栅极驱动序列的仿真工具
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takashi Hikihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hajime Takayama;Shuhei Fukunaga;Takashi Hikihara
用于碳化硅 MOSFET 有源栅极驱动开发的分辨率为 2.5 ns 的六级栅极驱动器拓扑
DOI：
10.1109/ecce-asia49820.2021.9479081
发表时间：
2021
期刊：
2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress & Exposition - Asia (ECCE-Asia)
影响因子：
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作者：
P. Judge;Ross Mathieson;S. Finney
通讯作者：
S. Finney
基于表面电位的SiC功率MOSFET仿真模型
DOI：
10.1109/sispad.2016.7605162
发表时间：
2016
期刊：
2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
影响因子：
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作者：
Yohei Nakamura;Michihiro Shintani;Kazuki Oishi;Takashi Sato;T. Hikihara
通讯作者：
T. Hikihara