课题基金 / 基金详情

Effect of Channel Doping and Gate Oxide Configuration on Mosfet Operation

Effect of Channel Doping and Gate Oxide Configuration on Mosfet Operation
沟道掺杂和栅极氧化物配置对 MOSFET 操作的影响
批准号：
7517379
负责人：
Nino Masnari
金额：
$5.5万
依托单位：
Regents of the University of Michigan - Ann Arbor
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1976
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1976-02-01 至 1978-07-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=7517379&HistoricalAwards=false
关键词：
EffectChannelDopingGateOxide

项目摘要

项目成果

Nino Masnari的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Interinstitutional Fellowship Program
  • 批准号：
    9116679
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $108.0万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    Nino Masnari
  • 依托单位：
    North Carolina State University
Ion Implantation in Ill-V Semiconductors
  • 批准号：
    8014647
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $3.9万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    Nino Masnari
  • 依托单位：
    North Carolina State University
国内基金
海外基金
同步辐射光源 channel-cut 晶体窄缝的游离微珠辅助化学机械抛光研究
  • 批准号：
    21ZR1467700
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    王昆
  • 依托单位：
    同济大学
经颅磁刺激对 Alzheimer病小鼠脑内homer1a-BK channel信号通路的影响及疗效评估
  • 批准号：
    81371222
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    70.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    王芙蓉
  • 依托单位：
    华中科技大学