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Properties of Dilute Magnetic Alloys at Very Low Temperatures and Nuclear Cooling
稀磁合金在极低温和核冷却下的性能
基本信息
- 批准号：7916243
- 负责人：
- 金额：$ 16.01万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1979
- 资助国家：美国
- 起止时间：1979-11-15 至 1984-10-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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{{ truncateString('Orest Symko', 18)}}的其他基金
U.S.-Brazil Cooperative Research in Detection of Weakly Magnetic Fields and Fluctuations
美国-巴西合作研究弱磁场和波动探测
- 批准号：
8802235 - 财政年份：1988
- 资助金额：
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8313403 - 财政年份：1984
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低温光声光谱
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8018827 - 财政年份：1981
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$ 16.01万 - 项目类别：
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Properties of Dilute Magnetic Alloys at Very Low Temperatures and Nuclear Cooling
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7621702 - 财政年份：1976
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- 批准号：
7101802 - 财政年份：1972
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
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相似国自然基金
基于稀氮砷化镓（Dilute nitride GaNAs）的近红外自旋放大纳米线激光器的研究
- 批准号：61905071
- 批准年份：2019
- 资助金额：24.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Dilute Magnetic 2D-Semiconductors: Fundamentals for Device Applications
稀磁二维半导体：设备应用基础知识
- 批准号：
2118414 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
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Control of carrier localization in dilute magnetic semiconductors
稀磁半导体中载流子局域化的控制
- 批准号：
17K05494 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on the mechanism of ferromagnetism in dilute magnetic oxides
稀磁性氧化物的铁磁性机理研究
- 批准号：
26630325 - 财政年份：2014
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$ 16.01万 - 项目类别：
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Disorder Effects on Magnetism in Dilute Magnetic Semiconductors
稀磁半导体中磁性的无序效应
- 批准号：
1305666 - 财政年份：2013
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Continuing Grant
Charge Transport in the Impurity Band of Dilute Magnetic Semiconductors: Experiment and Theory
稀磁半导体杂质带中的电荷传输：实验与理论
- 批准号：
194176975 - 财政年份：2011
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$ 16.01万 - 项目类别：
Research Grants
Modeling resonant x-ray reflectivity in the dilute magnetic semiconductor (Ga,Mn)As
模拟稀磁半导体 (Ga,Mn)As 中的共振 X 射线反射率
- 批准号：
382731-2009 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
University Undergraduate Student Research Awards
RUI: N-Type Ferromagnetism in Oxide Based Dilute Magnetic Semiconductors
RUI：氧化物基稀磁半导体中的 N 型铁磁性
- 批准号：
0907037 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
Standard Grant
Synthesis and Crystal Growth of Dilute Magnetic Semiconductors and Frustrated Magnets
稀磁半导体和受抑磁体的合成和晶体生长
- 批准号：
0907612 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
Standard Grant
Magnetic property control of GaN dilute magnetic semiconductors
GaN稀磁半导体的磁性能控制
- 批准号：
20760013 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Molecular-beam epitaxy of group III nitride-based dilute magnetic semiconductors
III族氮化物基稀磁半导体的分子束外延
- 批准号：
40997750 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 16.01万 - 项目类别：
Priority Programmes