Magnetic property control of GaN dilute magnetic semiconductors

GaN稀磁半导体的磁性能控制

• 批准号: 20760013
• 负责人: SONODA Saki
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Kyoto Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760013/
• 关键词: スピンエレクトロニクス; MBE・エピタキシャル; 磁性; 半導体物性; 電子・電気材料; MBE、エピタキシャル; 強相関電子系

Band structure of 3d-transition metal doped III-nitrides have been investigated by using optical absorption and photoelectron yield spectroscopies. It was found that new energy states are formed in the intrinsic band gaps of GaN upon the 3d transition metal doping. Charge transport properties as a function of electrode metal work function indicate that carriers in the materials move in the new band and are consistent with the band structure deduced from the spectroscopic analyses.

用光学吸收谱和光电子产额谱研究了3d过渡金属掺杂的III-氮化物的能带结构。研究发现，三维过渡金属掺杂在GaN的本征带隙中形成了新的能态。电荷输运性质作为电极金属功函数的函数表明，材料中的载流子在新的能带内移动，并与光谱分析得出的能带结构相一致。

项目成果

3d遷移金属添加窒化物半導体のイオン化ポテンシャル

3d过渡金属掺杂氮化物半导体的电离势

• 发表时间: 2010
• 作者: Rie Togashi;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Akinori Koukitu;園田早紀
• 通讯作者: 園田早紀

Mn添加GaNのバンド構造と磁性

Mn掺杂GaN的能带结构和磁性

• 发表时间: 2009
• 作者: 小出祥統;ら;園田早紀
• 通讯作者: 園田早紀

Partially filled intermediate band of Cr-doped GaN films

部分填充中能带的Cr掺杂GaN薄膜

• DOI: 10.1063/1.4717716
• 发表时间: 2012
• 期刊: Appl. Phys. Lett
• 作者: B.Kim;T.Tanikawa;Y.Honda;M.Yamaguchi;N.Sawaki;S. Sonoda
• 通讯作者: S. Sonoda

遷移金属添加窒化物半導体のバンド構造

过渡金属掺杂氮化物半导体的能带结构

• 发表时间: 2011
• 作者: Yoshinao Kumagai;Hirokazu Adachi;Aya Otake;Yoshihiro Higashikawa;Rie Togashi;Hisashi Murakami;Akinori Koukitu;園田早紀
• 通讯作者: 園田早紀

3d遷移金属添加窒化物半導体の光吸収特性

3D过渡金属掺杂氮化物半导体的光吸收特性

• 发表时间: 2010
• 作者: R. Togashi;T. Kamoshita;H. Adachi;H. Murakami;Y. Kumagai;A. Koukitu;園田早紀
• 通讯作者: 園田早紀