Control of carrier localization in dilute magnetic semiconductors
Control of carrier localization in dilute magnetic semiconductors
稀磁半导体中载流子局域化的控制
批准号：
17K05494
负责人：
Raebiger Hannes
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Electronic states and band gap adjustment of Co-impurity doped epsilon-Ga2O3 and kappa-Ga2O3
Co杂质掺杂的epsilon-Ga2O3和kappa-Ga2O3的电子态和带隙调节
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Yamanaka, K. Shudo, H. Raebiger]
通讯作者：
H. Raebiger
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Riku SHIROTA, H. Raebiger, Hannes Raebiger and Soungmin Bae, H. Raebiger, H. Raebiger]
通讯作者：
H. Raebiger
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Riku SHIROTA, H. Raebiger, Hannes Raebiger and Soungmin Bae, H. Raebiger, H. Raebiger, H. Raebiger]
通讯作者：
H. Raebiger
First principles methods for defects: state-of-the-art and emerging approaches in Characterisation and Control of Defects in Semiconductors
缺陷的第一原理方法：半导体缺陷表征和控制的最先进和新兴方法
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ertekin Elif, Raebiger Hannes]
通讯作者：
Raebiger Hannes
First principles calculation of hole doped La2CuO4
空穴掺杂La2CuO4的第一性原理计算
空穴掺杂La2CuO4的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Riku SHIROTA, H. Raebiger]
通讯作者：
H. Raebiger
共 12 条
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