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Control of carrier localization in dilute magnetic semiconductors

稀磁半导体中载流子局域化的控制

基本信息

批准号：
17K05494
负责人：
Raebiger Hannes
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Yokohama National University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electronic states and band gap adjustment of Co-impurity doped epsilon-Ga2O3 and kappa-Ga2O3

Co杂质掺杂的epsilon-Ga2O3和kappa-Ga2O3的电子态和带隙调节

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Yamanaka;K. Shudo;H. Raebiger
通讯作者：
H. Raebiger

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磁性半导体中的孔定位趋势及其工程

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Riku SHIROTA;H. Raebiger;Hannes Raebiger and Soungmin Bae;H. Raebiger;H. Raebiger
通讯作者：
H. Raebiger

Engineering hole localization in magnetic semiconductors

磁性半导体中的工程孔定位

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Riku SHIROTA;H. Raebiger;Hannes Raebiger and Soungmin Bae;H. Raebiger;H. Raebiger;H. Raebiger
通讯作者：
H. Raebiger

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DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ertekin Elif;Raebiger Hannes
通讯作者：
Raebiger Hannes

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空穴掺杂La2CuO4的第一性原理计算

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Riku SHIROTA;H. Raebiger
通讯作者：
H. Raebiger

DOI：
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中世後期における天変地異情報とその受容

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3.7
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