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Experimental Investigation of Electron Localization Phenomena in Disordered Systems

Experimental Investigation of Electron Localization Phenomena in Disordered Systems
无序系统中电子局域现象的实验研究
批准号：
8015352
负责人：
Donald Holcomb
金额：
$11.73万
依托单位：
Cornell University
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1980
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1980-12-15 至 1984-05-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8015352&HistoricalAwards=false
关键词：
ExperimentalInvestigationElectronLocalizationPhenomena

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The Metal-Insulator Transition in Compensated Silicon
  • 批准号：
    8704331
  • 项目类别：
    Continuing grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1987
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
Nuclear Magnetic Resonance and Electronic Transport Near the Metal-Insulator Transition in Heavily-Doped Silicon (Materials Research)
  • 批准号：
    8318511
  • 项目类别：
    Continuing grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
Experimental Investigation of Electron Localization Phenomena in Disordered Systems
  • 批准号：
    7810728
  • 项目类别：
    Continuing grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1978
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
The Insulator-Metal Transition in Disordered Systems
  • 批准号：
    7101780
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1972
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
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