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Nuclear Magnetic Resonance and Electronic Transport Near the Metal-Insulator Transition in Heavily-Doped Silicon (Materials Research)

Nuclear Magnetic Resonance and Electronic Transport Near the Metal-Insulator Transition in Heavily-Doped Silicon (Materials Research)
重掺杂硅中金属-绝缘体转变附近的核磁共振和电子传输（材料研究）
批准号：
8318511
负责人：
Donald Holcomb
金额：
$0.0万
依托单位：
Cornell University
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing grant
财政年份：
1984
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1984-02-15 至 1987-07-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8318511&HistoricalAwards=false
关键词：
NuclearMagneticResonanceElectronicTransport

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The Metal-Insulator Transition in Compensated Silicon
  • 批准号：
    8704331
  • 项目类别：
    Continuing grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1987
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
Experimental Investigation of Electron Localization Phenomena in Disordered Systems
  • 批准号：
    8015352
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $11.73万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
Experimental Investigation of Electron Localization Phenomena in Disordered Systems
  • 批准号：
    7810728
  • 项目类别：
    Continuing grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1978
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
The Insulator-Metal Transition in Disordered Systems
  • 批准号：
    7101780
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1972
  • 负责人：
    Donald Holcomb
  • 依托单位：
    Cornell University
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