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Study of Oxide Traps and Interface States in Silicon Microstructures
硅微结构中氧化物陷阱和界面态的研究
基本信息
- 批准号：8021114
- 负责人：
- 金额：$ 21.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1981
- 资助国家：美国
- 起止时间：1981-05-01 至 1984-10-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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High efficiency crystalline silicon solar cells
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- 批准号：
24K17312 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 21.5万 - 项目类别：
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2405325 - 财政年份：2024
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- 批准号：
2327352 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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Standard Grant
Oxygen vacancy engineering on indium oxide vertical FETs for 3D power scaling
用于 3D 功率缩放的氧化铟垂直 FET 上的氧空位工程
- 批准号：
24K17328 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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2327474 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 21.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Thermospheric Estimation and CHaracterization with Nitric Oxide (TECHNO)
使用一氧化氮进行热层估计和表征 (TECHNO)
- 批准号：
2343844 - 财政年份：2024
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Standard Grant
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氧化物半导体中的持久光学现象
- 批准号：
2335744 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 21.5万 - 项目类别：
Continuing Grant
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氧化物外延生长动力学和动力学的原位 X 射线散射研究
- 批准号：
2336506 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 21.5万 - 项目类别：
Continuing Grant