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Dopant Incorporation in Molecular Beam Epitaxial Growth of Silicon and Germanium

Dopant Incorporation in Molecular Beam Epitaxial Growth of Silicon and Germanium
硅和锗分子束外延生长中的掺杂剂掺入
批准号：
8100227
负责人：
Dee-Son Pan
金额：
$10.12万
依托单位：
University of California-Los Angeles
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1981
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1981-08-01 至 1984-01-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8100227&HistoricalAwards=false
关键词：
DopantIncorporationMolecularBeamEpitaxial

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