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Optical and Electrical Properties of Ion-Implanted Semiconductors
离子注入半导体的光学和电学特性
基本信息
- 批准号：8110681
- 负责人：
- 金额：$ 0.57万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1982
- 资助国家：美国
- 起止时间：1982-01-15 至 1984-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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