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Formation of Self-Aligned Super-Atom-like Si-Ge based Quantum Dots and Characterization of Their Optical and Electrical Properties

自对准类超原子硅锗基量子点的形成及其光学和电学性质的表征

基本信息

批准号：
15H05762
负责人：
Seiichi Miyazaki
金额：
$ 126.71万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-05-29 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H05762/
关键词：
Si系量子ドットスーパーアトム Si量子ドット発光デバイス LED

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection

通过交替载流子注入实现具有 Ge 核的多层堆叠硅量子点的电致发光

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Katsunori Makihara;Mitsuhisa Ikeda;Akio Ohta;and Seiichi Miyazaki
通讯作者：
and Seiichi Miyazaki

Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長および発光特性評価

Ge/Si量子点上Si的选择性生长及发光特性评价

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤森俊太郎;山田健太郎;永井僚;牧原克典;池田弥央;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core

具有Ge核的硅量子点的高密度形成和发光

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
中川翔太;細井優;今西優人;多田勝哉;下澤雅明;井澤公一;仲村愛;本間佳哉;本多史憲;青木大;S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

GeコアSi量子ドットからのフォトルミネッセンス特性―温度依存性

Ge 核硅量子点的光致发光特性 - 温度依赖性

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
近藤圭悟;牧原克典;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性

Ge/Si量子点上Si的选择性生长及室温PL特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤森俊太郎;山田健太郎;永井僚;池田弥央;牧原克典;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

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Seiichi Miyazaki其他文献

A new deposition mode in plasma-enhanced cryogenic CVD

DOI：
10.1016/s0022-3093(05)80220-0
发表时间：
1991-01-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Hidetoshi Shin;Seiichi Miyazaki;Masataka Hirose
通讯作者：
Masataka Hirose

Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current–voltage characteristics of resistive switching memory

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DOI：
10.1063/1.4892823
发表时间：
2014
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
Shintaro Otsuka;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara;Katsunori Makihara;Seiichi Miyazaki;Atsushi Yamasaki ;Yusuke Tanimoto;and Kouichi Takase
通讯作者：
and Kouichi Takase

Optical and electrical properties of a-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>:H/a-Si:H superlattices prepared by plasma-enhanced nitridation technique

DOI：
10.1016/s0022-3093(05)80319-9
发表时间：
1991-01-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Seiichi Miyazaki;Keiichi Yamada;Masataka Hirose
通讯作者：
Masataka Hirose

Control of Semiconductor Interfaces

半导体接口的控制

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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观察因 HfO2 微晶形成而导致的薄膜电导率变化

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
Motoyuki Sato;Kikuo Yamabe;Kenji Shiraishi;Seiichi Miyazaki;Keisaku Yamada;Chihiro Tamura;Ryu Hasunuma;Seiji Inumiya;Takayuki Aoyama;Yasuo Nara;and Yuzuru Ohji;蓮沼隆・田村知大・林倫弘・佐藤基之・山部紀久夫;野村豪1・染谷満1・杉村聡太郎1・蓮沼隆12・山部紀久夫
通讯作者：
野村豪1・染谷満1・杉村聡太郎1・蓮沼隆12・山部紀久夫