Formation of Self-Aligned Super-Atom-like Si-Ge based Quantum Dots and Characterization of Their Optical and Electrical Properties
Formation of Self-Aligned Super-Atom-like Si-Ge based Quantum Dots and Characterization of Their Optical and Electrical Properties
自对准类超原子硅锗基量子点的形成及其光学和电学性质的表征
批准号：
15H05762
负责人：
Seiichi Miyazaki
金额：
$126.71万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-05-29 至 2019-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性
电子空穴交替注入Ge核硅量子点多重集成结构的发光特性
电子空穴交替注入Ge核硅量子点多重集成结构的发光特性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[牧原克典, 池田弥央, 藤村信幸, 大田晃生, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性
Ge/Si量子点上Si的选择性生长及室温PL特性
Ge/Si量子点上Si的选择性生长及室温PL特性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤森俊太郎, 山田健太郎, 永井僚, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
Electroluminescence of Super-atom-like Si-Ge based Quantum Dots Floating Gate
类超原子Si-Ge基量子点浮栅的电致发光
类超原子Si-Ge基量子点浮栅的电致发光
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, A. Ohta, and S. Miyazaki]
通讯作者：
and S. Miyazaki
Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection
通过交替载流子注入实现具有 Ge 核的多层堆叠硅量子点的电致发光
通过交替载流子注入实现具有 Ge 核的多层堆叠硅量子点的电致发光
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki]
通讯作者：
and Seiichi Miyazaki
Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長および発光特性評価
Ge/Si量子点上Si的选择性生长及发光特性评价
Ge/Si量子点上Si的选择性生长及发光特性评价
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤森俊太郎, 山田健太郎, 永井僚, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
共 81 条
海外基金