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Formation of Self-Aligned Super-Atom-like Si-Ge based Quantum Dots and Characterization of Their Optical and Electrical Properties

自对准类超原子硅锗基量子点的形成及其光学和电学性质的表征

基本信息

批准号：
15H05762
负责人：
Seiichi Miyazaki
金额：
$ 126.71万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-05-29 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H05762/
关键词：
Si系量子ドットスーパーアトム Si量子ドット発光デバイス LED

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性

电子空穴交替注入Ge核硅量子点多重集成结构的发光特性

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
牧原克典;池田弥央;藤村信幸;大田晃生;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性

Ge/Si量子点上Si的选择性生长及室温PL特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤森俊太郎;山田健太郎;永井僚;池田弥央;牧原克典;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

Electroluminescence of Super-atom-like Si-Ge based Quantum Dots Floating Gate

类超原子Si-Ge基量子点浮栅的电致发光

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Makihara;M. Ikeda;N. Fujimura;A. Ohta;and S. Miyazaki
通讯作者：
and S. Miyazaki

Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection

通过交替载流子注入实现具有 Ge 核的多层堆叠硅量子点的电致发光

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Katsunori Makihara;Mitsuhisa Ikeda;Akio Ohta;and Seiichi Miyazaki
通讯作者：
and Seiichi Miyazaki

Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長および発光特性評価

Ge/Si量子点上Si的选择性生长及发光特性评价

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤森俊太郎;山田健太郎;永井僚;牧原克典;池田弥央;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

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作者：
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Seiichi Miyazaki其他文献

A new deposition mode in plasma-enhanced cryogenic CVD

DOI：
10.1016/s0022-3093(05)80220-0
发表时间：
1991-01-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Hidetoshi Shin;Seiichi Miyazaki;Masataka Hirose
通讯作者：
Masataka Hirose

Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current–voltage characteristics of resistive switching memory

使用纳米峰结构的电场集中对阻变存储器电流-电压特性的影响

DOI：
10.1063/1.4892823
发表时间：
2014
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
Shintaro Otsuka;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara;Katsunori Makihara;Seiichi Miyazaki;Atsushi Yamasaki ;Yusuke Tanimoto;and Kouichi Takase
通讯作者：
and Kouichi Takase

Optical and electrical properties of a-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>:H/a-Si:H superlattices prepared by plasma-enhanced nitridation technique

DOI：
10.1016/s0022-3093(05)80319-9
发表时间：
1991-01-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Seiichi Miyazaki;Keiichi Yamada;Masataka Hirose
通讯作者：
Masataka Hirose

Control of Semiconductor Interfaces

半导体接口的控制

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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HfO2のマイクロ結晶形成による薄膜の電気伝導変化観察

观察因 HfO2 微晶形成而导致的薄膜电导率变化

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
Motoyuki Sato;Kikuo Yamabe;Kenji Shiraishi;Seiichi Miyazaki;Keisaku Yamada;Chihiro Tamura;Ryu Hasunuma;Seiji Inumiya;Takayuki Aoyama;Yasuo Nara;and Yuzuru Ohji;蓮沼隆・田村知大・林倫弘・佐藤基之・山部紀久夫;野村豪1・染谷満1・杉村聡太郎1・蓮沼隆12・山部紀久夫
通讯作者：
野村豪1・染谷満1・杉村聡太郎1・蓮沼隆12・山部紀久夫