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Indium Phosphide Insulating Gate Field Effect Transistors

Indium Phosphide Insulating Gate Field Effect Transistors
磷化铟绝缘栅场效应晶体管
批准号：
8211841
负责人：
Melvin Shaw
金额：
$15.99万
依托单位：
Wayne State University
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1983
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1983-02-01 至 1986-08-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8211841&HistoricalAwards=false
关键词：
IndiumPhosphideInsulatingGateField

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An Experimental and Theoretical Study of Sub-Micron Indium Phosphide Transferred Electron Devices
  • 批准号：
    8603323
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $3.25万
  • 财政年份：
    1986
  • 负责人：
    Melvin Shaw
  • 依托单位：
    Wayne State University
Non-Crystalline Thin Film Devices
  • 批准号：
    7817666
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $13.8万
  • 财政年份：
    1979
  • 负责人：
    Melvin Shaw
  • 依托单位：
    Wayne State University
Investigation of Novel Amorphous Film Devices
  • 批准号：
    7605646
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $7.87万
  • 财政年份：
    1976
  • 负责人：
    Melvin Shaw
  • 依托单位：
    Wayne State University
Materials Processing Research
  • 批准号：
    7101832
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $200.0万
  • 财政年份：
    1971
  • 负责人：
    Melvin Shaw
  • 依托单位：
    Carnegie-Mellon University
海外基金