IUC: Physical Characterization of High-Voltage Devices and Integrated Circuits Fabricated in Dielectrically Isolated Silicon Tubs

IUC：在介电隔离硅管中制造的高压器件和集成电路的物理特性

• 批准号: 8419427
• 负责人: Jerry Fossum
• 金额: $ 21.37万
• 依托单位: University of Florida
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1985-05-15 至 1989-10-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8419427&HistoricalAwards=false
• 关键词: IUC; Physical; Characterization; Voltage; Devices

Efforts are underway to study design problems associated with high-voltage integrated circuits fabricated using the dielectrically isolated (DI) process technology. This is an important technology for high-voltage power control devices. The research compares analytic models to experimental data.

目前正在努力研究与以下方面有关的设计问题： 使用该介质制造的高压集成电路 隔离（DI）工艺技术。 这是一项重要的技术， 高压电力控制装置。 该研究比较了分析 模型到实验数据。