课题基金 / 基金详情

IUC: Physical Characterization of High-Voltage Devices and Integrated Circuits Fabricated in Dielectrically Isolated Silicon Tubs

IUC: Physical Characterization of High-Voltage Devices and Integrated Circuits Fabricated in Dielectrically Isolated Silicon Tubs
IUC：在介电隔离硅管中制造的高压器件和集成电路的物理特性
批准号：
8419427
负责人：
Jerry Fossum
金额：
$21.37万
依托单位：
University of Florida
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1985
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1985-05-15 至 1989-10-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8419427&HistoricalAwards=false
关键词：
IUCPhysicalCharacterizationVoltageDevices

项目摘要

项目成果

Jerry Fossum的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Efforts are underway to study design problems associated with high-voltage integrated circuits fabricated using the dielectrically isolated (DI) process technology. This is an important technology for high-voltage power control devices. The research compares analytic models to experimental data.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Modeling, Design, and CMOS Performance Projections of Nanoscale Double-Gate FinFETs
  • 批准号：
    0424198
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    Jerry Fossum
  • 依托单位：
    University of Florida
Engineering Research Equipment Grant: A Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition (LPCVD) Research System
  • 批准号：
    8506619
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $6.99万
  • 财政年份：
    1985
  • 负责人：
    Jerry Fossum
  • 依托单位：
    University of Florida
国内基金
海外基金
面向智能电网基础设施Cyber-Physical安全的自治愈基础理论研究
  • 批准号：
    61300132
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    23.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    王竹晓
  • 依托单位：
    华北电力大学