Engineering Research Equipment Grant: A Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition (LPCVD) Research System
Engineering Research Equipment Grant: A Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition (LPCVD) Research System
批准号:
8506619
负责人:
Jerry Fossum
金额:
$6.99万
依托单位:
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
1985
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
1985-09-01 至 1987-02-28
中文摘要
一种Thermco低压化学气相沉积(LPCVD)系统, 沉积高质量的多晶硅薄膜, 将购买低温二氧化硅。 该系统 由于应用程序的数量迅速增加, 薄膜LPCVD多晶硅硅集成电路技术, 并且由于对LPCVD多晶硅应用的重视, 目前和预期的研究。
英文摘要
A Thermco low-pressure chemical-vapor-deposition (LPCVD) system capable of depositing thin films of good-quality polysilicon and low-temperature silicon-dioxide will be purchased. This system is desirable because of the rapidly increasing number of applications of thin-film LPCVD polysilicon in silicon integrated circuit technology, and because of the emphasis on LPCVD polysilicon applications in current and anticipated research.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Modeling, Design, and CMOS Performance Projections of Nanoscale Double-Gate FinFETs
-
批准号:0424198
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2004
-
负责人:Jerry Fossum
-
依托单位:
IUC: Physical Characterization of High-Voltage Devices and Integrated Circuits Fabricated in Dielectrically Isolated Silicon Tubs
-
批准号:8419427
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$21.37万
-
财政年份:1985
-
负责人:Jerry Fossum
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
Research on Quantum Field Theory without a Lagrangian Description
-
批准号:24ZR1403900
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:SATOSHI NAWATA
-
依托单位:
Cell Research
-
批准号:31224802
-
项目类别:专项基金项目
-
资助金额:24.0万元
-
批准年份:2012
-
负责人:程磊
-
依托单位:
Cell Research
-
批准号:31024804
-
项目类别:专项基金项目
-
资助金额:24.0万元
-
批准年份:2010
-
负责人:程磊
-
依托单位:
Cell Research (细胞研究)
-
批准号:30824808
-
项目类别:专项基金项目
-
资助金额:24.0万元
-
批准年份:2008
-
负责人:张爱兰
-
依托单位:
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
-
批准号:10774081
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:45.0万元
-
批准年份:2007
-
负责人:滕冰
-
依托单位: