Epitaxial Alloys for Metallization of GaAs and InP Devices

用于 GaAs 和 InP 器件金属化的外延合金

• 批准号: 9310613
• 负责人: Toh-Ming Lu
• 金额: $ 28.59万
• 依托单位: Rensselaer Polytechnic Institute
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1993-09-15 至 1997-08-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9310613&HistoricalAwards=false
• 关键词: Epitaxial; Alloys; Metallization; GaAs; InP

9310613 Lu In this proposal we present a research program that aims at answering the challenge of ULSI metalizations by adopting a new approach to applying metallization using a very practical technology. We propose to investigate the epitaxial metal contacts to GaAs and InP, formed using partially ionized beam deposition technique. This technique offers surface self-cleaning, low temperature epitaxial deposition, excellent control on composition of the alloys to be deposited, and all of this in a non UHV deposition chamber. The metallizations to be investigated are epitaxial films of Al, CoSi2, Co2P, Ge2Co, and A12Pt. These metal and alloy films are carefully selected to satisfy our needs of stable metallization with the best chance to form them epitaxially on GaAs and InP. The deposition, characterization including process stability, and applicability will be determined. The most promising scheme will then be used to fabricate a MESFET on GaAs and/or InP. ***

9310613 Lu 在本提案中，我们提出了一项研究计划，旨在通过采用一种非常实用的技术应用金属化的新方法来应对 ULSI 金属化的挑战。 我们建议研究使用部分电离束沉积技术形成的 GaAs 和 InP 的外延金属接触。 该技术提供表面自清洁、低温外延沉积、对待沉积合金成分的出色控制，以及所有这些都在非超高真空沉积室中进行。 要研究的金属化是 Al、CoSi2、Co2P、Ge2Co 和 Al2Pt 的外延膜。 这些金属和合金薄膜经过精心挑选，以满足我们对稳定金属化的需求，并有最好的机会在 GaAs 和 InP 上外延形成它们。 将确定沉积、表征（包括工艺稳定性）和适用性。 最有前途的方案将用于在 GaAs 和/或 InP 上制造 MESFET。 ***