Voltage-regulated antiferromagnetic coupling in ferromagnetic/semiconductor hybrid structures based on Si and Ge

该项目是对MgO基磁性材料的重新定位，即用一种合适的电磁场来支撑磁性材料的结构。这些现象是由磁场测量和磁场数据处理共同作用的结果。在具有MgO Zwischenschichten könnte的磁结构中，在室温下提高反铁磁电阻和隧道磁电阻，以重新定向磁结构上的磁场。MgO基的热稳定性，在硅基、反铁磁夹层结构中的稳定性，在澳大利亚的室温下进行了一次工作。Außerdem könnte die Veränderung der Grenzflächenmagnetisierung durch ein elektrisches费尔德zu einer Änderung der magnetischen Ausrichtung und zu einer Änderung der antiferromagnetischen Kopplung bei MgO Zwischenschichten führen.

Das Ziel des hier vorgestellten Projektes ist die Reorientierung der magnetischen Ausrichtung von MgO-basierten, austauschgekoppelten magnetischen Strukturen mit Hilfe eines angelegten elektri-schen Feldes zu zeigen. Dieses Phänomen ist besonders im Bereich von spannungsgesteuerten magnetischen Datenspeichern von höchstem Interesse. Das gleichzeitige Auftreten von antiferromag-netischer Austauschkopplung und TMR (tunneling magnetoresistance) bei Raumtemperatur in magne-tischen Strukturen mit MgO Zwischenschichten könnte für eine Reorientierung der Magnetisierung auf Grund einer angelegten Spannung anstatt des üblichen magnetischen Feldes genutzt werden. Die höhere thermische Stabilität von MgO-basierten, im Vergleich zu Si-basierten, antiferromagnetisch gekoppelten Sandwichstrukturen, stellt einen Arbeitsbereich von weit über Raumtemperatur in Aus-sicht. Außerdem könnte die Veränderung der Grenzflächenmagnetisierung durch ein elektrisches Feld zu einer Änderung der magnetischen Ausrichtung und zu einer Änderung der antiferromagnetischen Kopplung bei MgO Zwischenschichten führen.