Voltage-regulated antiferromagnetic coupling in ferromagnetic/semiconductor hybrid structures based on Si and Ge

基于 Si 和 Ge 的铁磁/半导体混合结构中的电压调节反铁磁耦合

• 批准号: 111266942
• 负责人: Dr. Rashid Gareev, Ph.D.
• 金额: --
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/111266942?language=en
• 关键词: Voltage; regulated; antiferromagnetic; coupling; ferromagnetic

Das Ziel des hier vorgestellten Projektes ist die Reorientierung der magnetischen Ausrichtung von MgO-basierten, austauschgekoppelten magnetischen Strukturen mit Hilfe eines angelegten elektri-schen Feldes zu zeigen. Dieses Phänomen ist besonders im Bereich von spannungsgesteuerten magnetischen Datenspeichern von höchstem Interesse. Das gleichzeitige Auftreten von antiferromag-netischer Austauschkopplung und TMR (tunneling magnetoresistance) bei Raumtemperatur in magne-tischen Strukturen mit MgO Zwischenschichten könnte für eine Reorientierung der Magnetisierung auf Grund einer angelegten Spannung anstatt des üblichen magnetischen Feldes genutzt werden. Die höhere thermische Stabilität von MgO-basierten, im Vergleich zu Si-basierten, antiferromagnetisch gekoppelten Sandwichstrukturen, stellt einen Arbeitsbereich von weit über Raumtemperatur in Aus-sicht. Außerdem könnte die Veränderung der Grenzflächenmagnetisierung durch ein elektrisches Feld zu einer Änderung der magnetischen Ausrichtung und zu einer Änderung der antiferromagnetischen Kopplung bei MgO Zwischenschichten führen.

该项目是对MgO基磁性材料的重新定位，即用一种合适的电磁场来支撑磁性材料的结构。这些现象是由磁场测量和磁场数据处理共同作用的结果。在具有MgO Zwischenschichten könnte的磁结构中，在室温下提高反铁磁电阻和隧道磁电阻，以重新定向磁结构上的磁场。MgO基的热稳定性，在硅基、反铁磁夹层结构中的稳定性，在澳大利亚的室温下进行了一次工作。Außerdem könnte die Veränderung der Grenzflächenmagnetisierung durch ein elektrisches费尔德zu einer Änderung der magnetischen Ausrichtung und zu einer Änderung der antiferromagnetischen Kopplung bei MgO Zwischenschichten führen.