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Deposition and Characterization of Novel Spin Dependent Tunneling Junctions

Deposition and Characterization of Novel Spin Dependent Tunneling Junctions
新型自旋相关隧道结的沉积和表征
批准号：
9700168
负责人：
Shan Wang
金额：
$22.1万
依托单位：
Stanford University
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1997
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1997-06-01 至 2000-05-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9700168&HistoricalAwards=false
关键词：
DepositionCharacterizationNovelSpinDependent

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9700168 Wang Researchers will study spin dependent tunnelling junctions consisting of two ferromagnetic electrode layers separated by an insulating barrier layer. The growth, structure and performance of such junctions fabricated from Heusler alloys will be investigated. These devices have significant technological potential in magentic RAM, sensors and recording heads. ***
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  • 批准号：
    2345655
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $100.0万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    Shan Wang
  • 依托单位：
    Stanford University
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  • 批准号：
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  • 项目类别：
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  • 资助金额：
    $55.0万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    Shan Wang
  • 依托单位：
    Stanford University
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  • 批准号：
    2328804
  • 项目类别：
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  • 资助金额：
    $70.0万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    Shan Wang
  • 依托单位：
    Stanford University
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