Grundlagen für ballistische Elektronik in Graphen

石墨烯弹道电子学基础

• 批准号: 122082154
• 负责人: Dr.-Ing. Matthias Baus
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Halbleitertechnik (IHT)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/122082154?language=en
• 关键词: Grundlagen; ballistische; Elektronik; Graphen

Die ungewöhnlichen Eigenschaften von Graphen, die durch masselose Dirac-Fermiionen bedingt sind, versprechen mit sehr hoher Wahrscheinlichkeit technische Durchbrüche in der zukünftigen Nanoelektronik. Reelle Alternativen zu der heutigen C-MOS-Mainstream-Technik zeichnen sich ab und liegen deutlich über dem Leistungsstand der bisherigen C-MOS-Technologie. Die überraschend hohen Werte in Beweglichkeit und anderen Transport- Charakteristiken von Graphen legen nahe, ballistische Bauelemente als erste Konzepte in einem koordinierten wissenschaftlichen Programm näher zu untersuchen. In einem interdisziplinären Ansatz zwischen Elektrotechnik (RUB, RWTH Aachen und AMO GmbH) und Werkstoffwissenschaften (UEN) werden sowohl die Grundlagen zur Entwicklung ballistischer Bauelemente, als auch die dafür notwendigen Prozesstechnologien entwickelt.

他说：“我不知道该怎么做，也不知道该怎么做，也不知道该怎么做。”Reelle Alternativen zu der heutigen C-MOS-主流-Technik zeichnen sich ab and liegen deutlichüber Dm Leistungsstand der biisherigen C-MOS-Technologie.他说：“这是一件非常重要的事情，因为它是一件非常重要的事情。”在Einem Interdisziplinären Anatz zwitchen ElektroTechnik(RUB，RWTH Aachen and AMO GmbH)和Werkstoffise Senschaften(UEN)中，我们被要求提供更多的服务。

项目成果

Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate

具有氮化硅顶栅的准独立式外延石墨烯晶体管

• DOI: 10.1088/0022-3727/47/30/305103
• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
• 作者: P. Wehrfritz;F. Fromm;S. Malzer;Th. Seyller
• 通讯作者: Th. Seyller

Influence of structural properties on ballistic transport in nanoscale epitaxial graphene cross junctions

• DOI: 10.1088/0957-4484/23/39/395203
• 发表时间: 2012-10-05
• 期刊: NANOTECHNOLOGY
• 影响因子: 3.5
• 作者: Bock, Claudia;Weingart, Sonja;Seyller, Thomas
• 通讯作者: Seyller, Thomas

Bilayer Graphene Transistors for Analog Electronics

• DOI: 10.1109/ted.2014.2302382
• 发表时间: 2014-03-01
• 期刊: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
• 影响因子: 3.1
• 作者: Fiori, Gianluca;Neumaier, Daniel;Iannaccone, Giuseppe
• 通讯作者: Iannaccone, Giuseppe

Silicon Nitride as Top Gate Dielectric for Epitaxial Graphene

氮化硅作为外延石墨烯的顶栅电介质

• DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.149
• 发表时间: 2013
• 期刊: Materials Science Forum
• 作者: P. Wehrfritz;F. Fromm;S. Malzer;Th. Seyller
• 通讯作者: Th. Seyller

Visualizing atomic-scale negative differential resistance in bilayer graphene.

• DOI: 10.1103/physrevlett.110.036804
• 发表时间: 2013-01
• 期刊: Physical review letters
• 影响因子: 8.6
• 作者: K. Kim;Tae-Hwan Kim;A. Walter;T. Seyller;H. Yeom;E. Rotenberg;A. Bostwick