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Grundlagen für ballistische Elektronik in Graphen

Grundlagen für ballistische Elektronik in Graphen
石墨烯弹道电子学基础
批准号:
122082154
负责人:
Dr.-Ing. Matthias Baus
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2010
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2009-12-31 至 2014-12-31

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Die ungewöhnlichen Eigenschaften von Graphen, die durch masselose Dirac-Fermiionen bedingt sind, versprechen mit sehr hoher Wahrscheinlichkeit technische Durchbrüche in der zukünftigen Nanoelektronik. Reelle Alternativen zu der heutigen C-MOS-Mainstream-Technik zeichnen sich ab und liegen deutlich über dem Leistungsstand der bisherigen C-MOS-Technologie. Die überraschend hohen Werte in Beweglichkeit und anderen Transport- Charakteristiken von Graphen legen nahe, ballistische Bauelemente als erste Konzepte in einem koordinierten wissenschaftlichen Programm näher zu untersuchen. In einem interdisziplinären Ansatz zwischen Elektrotechnik (RUB, RWTH Aachen und AMO GmbH) und Werkstoffwissenschaften (UEN) werden sowohl die Grundlagen zur Entwicklung ballistischer Bauelemente, als auch die dafür notwendigen Prozesstechnologien entwickelt.
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会议论文
Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate
具有氮化硅顶栅的准独立式外延石墨烯晶体管
DOI: 10.1088/0022-3727/47/30/305103
发表时间: 2014
期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子: --
作者: [P. Wehrfritz, F. Fromm, S. Malzer, Th. Seyller]
通讯作者: Th. Seyller
DOI: 10.1088/0957-4484/23/39/395203
发表时间: 2012-10-05
期刊: NANOTECHNOLOGY
影响因子: 3.5
作者: [Bock, Claudia, Weingart, Sonja, Seyller, Thomas]
通讯作者: Seyller, Thomas
DOI: 10.1109/ted.2014.2302382
发表时间: 2014-03-01
期刊: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子: 3.1
作者: [Fiori, Gianluca, Neumaier, Daniel, Iannaccone, Giuseppe]
通讯作者: Iannaccone, Giuseppe
Silicon Nitride as Top Gate Dielectric for Epitaxial Graphene
氮化硅作为外延石墨烯的顶栅电介质
DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.149
发表时间: 2013
期刊: Materials Science Forum
影响因子: --
作者: [P. Wehrfritz, F. Fromm, S. Malzer, Th. Seyller]
通讯作者: Th. Seyller
8
    Experimentelle und theoretische Untersuchung der Wirkungsweise von Silizium-Nanodraht-MOSFETs
    • 批准号:
      69158205
    • 项目类别:
      Research Grants
    • 资助金额:
      $0.0万
    • 财政年份:
      2008
    • 负责人:
      Dr.-Ing. Matthias Baus
    • 依托单位:
    海外基金