Experimentelle und theoretische Untersuchung der Wirkungsweise von Silizium-Nanodraht-MOSFETs

摘要/ abstract摘要/ abstract摘要/ abstract摘要/ abstract摘要/ abstract参考文献：aussichtsreich fbr / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br / br纳米mosfet的致敏性研究。本论文主要研究了纳米- mosfet晶体管的设计、纳米- mosfet晶体管晶体管的设计、纳米- mosfet晶体管晶体管的设计、纳米- mosfet晶体管的设计。Ziel dieses项目清单详细描述了硅纳米管- mosfet的研究进展。大足研究小组，在实验和理论研究方面，研究了夜间分类mosfet的实验和理论研究。在项目werkt - werden纳米纳米晶体管的研究中，研究人员研究了5nm以下的纳米晶体管，Gatelängen研究了20nm以下的纳米晶体管，并研究了nnen Gateoxiden hergestellt。本文研究了电、光学特性、温度特性、光传输特性、电、声子特性、量子特性、光谱特性和谱结构的改进。Die experimentellen arbeen werden durch komplementäre theortische Untersuchungen begleitet。研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：1、研究方向：

Die über Jahrzehnte erfolgreich praktizierte Skalierung des konventionellen Si-MOSFET wird in absehbarer Zeit an ihre Grenzen stoßen. Besonders aussichtsreich für die weitere Entwicklung der Si- Elektronik sind Nanodraht-MOSFETs, denn sie versprechen durch die Kombination von mehrseitiger Gateankopplung und eindimensionalem Stromfluss das höchste Maß an elektrostatischer Gatekontrolle und Skalierbarkeit. Allerdings steht die Entwicklung von Nanodraht-MOSFETs derzeit noch am Anfang. Bisher arbeiten nur wenige Gruppen an der Entwicklung dieser Transistoren, der Ladungstransport in Nanodrähten ist nur teilweise verstanden, und zahlreiche Fragen zum Skalierungsverhalten und zum Design von Nanodraht-MOSFETs sind noch offen. Ziel dieses Projektes ist die detaillierte Untersuchung der Wirkungsweise von Si-Nanodraht- MOSFETs. Dazu werden drei Forschungsgruppen, die bereits auf umfangreiche experimentelle und theoretische Vorarbeiten zu nichtklassischen MOSFETs verweisen können, eng kooperieren. Im Projekt werden Nanodraht-Transistoren mit sehr kleinen Drahtdurchmessern (bis unter 5 nm), Gatelängen von unter 20 nm und dünnen Gateoxiden hergestellt. Diese Bauelemente werden in einem weiten Temperaturbereich elektrisch und optisch charakterisiert, um ihr Skalierungsverhalten, Ladungstransport, elektronische und phononische Quantisierungseffekte und Modifikation der Bandstruktur zu untersuchen. Die experimentellen Arbeiten werden durch komplementäre theoretische Untersuchungen begleitet. Insgesamt sollen die Ergebnisse zu einem verbesserten Verständnis von Funktion und Skalierungsgrenzen von Nanodraht-MOSFETs und zu einer besseren Beschreibung des Ladungstransports in diesen Strukturen führen.