Ablation Plasma Ion Implantation

烧蚀等离子体离子注入

• 批准号: 9907106
• 负责人: Ronald Gilgenbach
• 金额: $ 28.9万
• 依托单位: Regents of the University of Michigan - Ann Arbor
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1999-09-01 至 2002-08-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9907106&HistoricalAwards=false
• 关键词: Ablation; Plasma; Ion; Implantation

ABSTRACTCTS-9907106Ronald M. GligenbachThis is an investigation of a new ion source for implantation and synthesis of materials from solid targets. In this new technique, ablation plasma ion implantation (APII), energy-beam ablation of solid targets (metals, ceramics, or semiconductors) is used to generate pulses of ions for implantation, ion-assisted deposition, or synthesis of compounds. This study aims at development of a knowledge base on APII and the definition of scaling laws that can be used to evaluate engineering applications. The primary ablation source used is a KrF excimer laser operating at 50 Hz; other ablation sources available for comparison include e-beam, XeCl laser and YAG laser. Laser and optical diagnostics are applied to characterize the ablation plume species, the densities and energies of electrons , atoms, and ions, and the behavior of the sheath.

摘要-9907106 Ronald M.这是一种新的离子源注入和合成材料的固体靶的研究。 在这种新技术中，消融等离子体离子注入（APII），固体靶（金属，陶瓷或半导体）的能量束消融用于产生离子脉冲，用于注入，离子辅助沉积或合成化合物。 这项研究的目的是开发一个知识库APII和标度律的定义，可用于评估工程应用。 使用的主要烧蚀源是以50 Hz工作的KrF准分子激光器;可用于比较的其他烧蚀源包括电子束、XeCl激光器和YAG激光器。 应用激光和光学诊断来表征烧蚀羽流的种类、电子、原子和离子的密度和能量以及鞘层的行为。