Organische Ferroelektrika für nichtflüchtige Speicher

Gegenstand des vorliegenden Fortsetzungsantrages ist die Fragestellung，unter welchen Bedingungen präparativer，materialspezifischer und geometrischer Art wir einen ferroelektrisch aktiven Film aus dem Kolpolymer Poly（vinylidenfluorid/trifluorethylen），kurz P（VDF/TrFE），optimieren können. Die Optimierung wird im Hinblick auf die Verringerung der nötigen Betriebsspannungen，also letztendlich auf die Minimierung der Schichtdicke bei gleichzeitiger ferroelektrischer Funktionalität durchgeführt（Skalierbarkeit）.由于韦尔登在实验中发现了两种不同的情况，因此在P（VDF/TrFE）的基础上对高分子材料进行了筛选。本文介绍了韦尔登实验的主要内容：一是对原子力显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和铁电纳米材料（SKPM）的形态学研究，二是对聚合物结构技术（FTIR）和聚合物薄膜（NEXAFS）的化学信息（XPS）的研究。这种测量韦尔登是通过微机电系统-电容器和有机场效应晶体管（OFET）的铁电功能（剩余极化、数据保持、Schaltzeiten）与铁电介质的混合来实现的。我们的参数是聚合物薄膜的一个重要参数。

Gegenstand des vorliegenden Fortsetzungsantrages ist die Fragestellung, unter welchen Bedingungen präparativer, materialspezifischer und geometrischer Art wir einen ferroelektrisch aktiven Film aus dem Kopolymer Poly(vinylidenfluorid/trifluorethylen), kurz P(VDF/TrFE), optimieren können. Die Optimierung wird im Hinblick auf die Verringerung der nötigen Betriebsspannungen, also letztendlich auf die Minimierung der Schichtdicke bei gleichzeitiger ferroelektrischer Funktionalität durchgeführt (Skalierbarkeit). Damit einhergehend werden zweitens Untersuchungen durchgeführt, welche die Grenzen der möglichen Speicherdichte eines Memoryelementes auf der Basis von P(VDF/TrFE) ausloten. Die entsprechenden Experimente werden sich folgendermaßen aufteilen: Zum einen in Untersuchungen direkter Art, die Morphologie (SEM, AFM) und die Abbildung der ferroelektrischen Domänen (SKPM) betreffend, zum anderen in Untersuchungen im Hinblick auf die Art der Konformation des Kopolymers (FTIR), auf die Ordnung im Kopolymerfilm (NEXAFS) sowie auf die chemische Information (XPS). Diese Messungen werden von Untersuchungen begleitet, welche die ferroelektrische Funktionalität (remanente Polarisation, Datenretention, Schaltzeiten) mit Hilfe von MFIS-Kondensatoren und organischen Feldeffekttransistoren (OFET) mit ferroelektrischem Dielektrikum überprüfen. Der wesentliche Parameter ist dabei die Schichtdicke des Kopolymerfilms.