Pr - O - N layers: dielectrics for 4H-SiC surfaces

Pr - O - N 层：4H-SiC 表面的电介质

• 批准号: 5413106
• 负责人: Professor Dr. Dieter Schmeißer
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Angewandte Physik/Sensorik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5413106?language=en
• 关键词: Pr; layers; dielectrics; 4H; SiC

Seltene-Erd-Hetero-Oxide (Praseodym Oxid/Oxidnitrid) werden auf 4H-SiC-Oberflächen aufgebracht und deren Grenzflächeneigenschaften optimiert für elektronische Anwendungen. SiC verfügt über mehrere intrinsische Eigenschaften, die es als Halbleitermaterial für HF-Elektronik, Leistungsbauelemente oder Hochtemperaturbauelemente (Sensoren) geeignet erscheinen lässt. Der Einsatz von Bauteilen mit SiC als Halbleiterelement wird bislange beeinträchtigt, da auf SiC aufwachsende "natürliche" Oxide keine idealen Grenzflächen bilden, was eine hohe Dichte von Grenzflächenzuständen in den elektrischen Messungen zur Folge hat. Findet sich ein geeignetes Dielektrikum mit guten Grenzflächeneigenschaften, so sind Anwendungen denkbar, welche die elektronischen Eigenschaften (Bandlücke 4H : 3.28eV), die hohe Sättigungsgeschwindigkeit für Elektronen oder die hohe Durchbruchfeldstärke ebenso ausnutzen wie die hohe chemische und mechanische Stabilität. Wir optimieren die Grenzflächeneigenschaften von 4H-SiC-Oberflächen durch ein funktionales Hetero-Oxid. Dessen Architektur beginnt mit einer Oxynitrid-Schicht (2nm) in welcher der Stickstoff in geringer Konzentration zur Passivierung von Grenzflächenzuständen fungiert. Der Sauerstoff dient dazu, eine reaktive Silikatphase durch die Wechselwirkung mit dem anschließend aufgebrachten Praseodymoxid zu bilden. Die dielektrischen Eigenschaften des Hetero-Oxides werden im wesentlichen bestimmt durch die DK des Seltenen-Erd-Oxides. Eine spektroskopische Methode zur zerstörungsfreien Grenzflächenanalyse wird eingesetzt um den Verlauf der atomaren Zusammensetzung im Bereich der heterogenen Grenzflächen ( 3nm) zu bestimmen und reproduzierbar einzustellen. Diese Methode benutzt die variable Anregungsenergie eines Undulatorstrahlrohres bei BESSY. Sie kann im Rahmen des SPP auch anderen Arbeitsgruppen zur Verfügung gestellt werden. Die elektrischen Eigenschaften werden im Rahmen des Projektes ausschließlich an MOSiC-Dioden überprüft.

Seltene-Erd-Hetero-Oxide（Praseodym Oxid/Oxidnitride）韦尔登在4 H-SiC-Oberflächen aufgebracht和deren Grenzflächeneigenschaften optimiert für elektronische Anwendungen上形成。SiC verfügt über mehrere intrinsche Eigenschaften，die es als Halbleitermaterial für HF-Elektronik，Leistungsbauelemente oder Hochtemperaturbauelemente（Sensoren）geeignet erscheinen lässt.用SiC作为半导体元件的Bauteilen的一种结构，由于SiC的“自然”氧化物不是理想的玻璃纤维，因此在电气测量中，玻璃纤维是一种很好的材料。发现一种具有良好的电致伸缩特性的电致伸缩材料，因此，在电子本征特性（4 H：3.28eV）方面，该材料具有良好的化学稳定性和机械稳定性。我们通过一种功能性的Hetero-Oxid优化了4 H-SiC-Oberflächen的增强效果。Dessen Architektur将Oxynitrid-Schicht（2nm）引入到用于钝化真菌的粘结剂中。Sauerstoff是一种反应性的Silikatphase，它通过Wechselechtung与Praseodymoxid的结合而形成。杂氧化物韦尔登的介电特性是通过硒化物的介电常数来估计的。一种光谱分析方法zurstörungsfreien Grenzflächenanalysis wird eingesetzt um den Verlauf der atomaren Zusammensetzung im Bereich der heterogenen Grenzflächen（3 nm）zu bestimmen and reproduzierbar einzustellen.该方法适用于BESSY的波动辐射源的可变能量。您也可以在SPP的分部和工人组中找到韦尔登。电气特性韦尔登在MOSiC-Dioden的项目中也是如此。