Pr - O - N layers: dielectrics for 4H-SiC surfaces

硒杂氧化物(Praseodym Oxid/OxidNide)是由4H-SiC-Oberflächen aufgebrht和Deren Grizflächeneigenschaften Optimiert für Elektronische Anwendungen组成。您的位置：我也知道>教育/科学>教育/科学>专业知识，盐基材料，材料。从Einsatz von Bauteilen MIT als HalbleiterElement wird biangangbeeinträchtigt，da auf ic aufwachsende“natürliche”Oxide keine deine desialen GrizfläChen bilden，is eine Hohe Dichte von Grizflächenzuständen in den elektrischen Messungen zur Folge Hat.在Geeignetes Dielektrikum MIT guten Grizflächeneigenschaften，so sind Anwendungen denkbar，well che de elektronischen Eigenschaften(Bandlücke 4H：3.28 eV)中，我们将在4H-Ofbero-Oxid的工作中找到最好的选择，并提供稳定的机制。在Geringer Konzentation zur Passivierung von Grizflächenzuständen的焊接和粘性材料(2 NM)中，Dessen Architekur开始使用氧化氮化物-Schicht(2 NM)。这是一件非常重要的事情，因为我们的生活并不是这样的。杂氧化物是一种特殊的非晶态氧化物，我们估计它不存在于硒氧化物中。Eine Spektroskopische方法zur zerstörungsfreien Grizflächen分析将分析Eingesetzum den Verlaf der ATomaren Zusammensetzung im Bereich der Hetergenen GrizfläChen(3 Nm)zu bstimines和reproduzierbar einzustellen。这是一种新的方法，它是一种新的方法。他说：“我是拉赫曼人，我也是。”从Rahman des Projektes auschlieülich an MOSic-Diodenüberprüft到Eigenschaften Eigenschaften。

Seltene-Erd-Hetero-Oxide (Praseodym Oxid/Oxidnitrid) werden auf 4H-SiC-Oberflächen aufgebracht und deren Grenzflächeneigenschaften optimiert für elektronische Anwendungen. SiC verfügt über mehrere intrinsische Eigenschaften, die es als Halbleitermaterial für HF-Elektronik, Leistungsbauelemente oder Hochtemperaturbauelemente (Sensoren) geeignet erscheinen lässt. Der Einsatz von Bauteilen mit SiC als Halbleiterelement wird bislange beeinträchtigt, da auf SiC aufwachsende "natürliche" Oxide keine idealen Grenzflächen bilden, was eine hohe Dichte von Grenzflächenzuständen in den elektrischen Messungen zur Folge hat. Findet sich ein geeignetes Dielektrikum mit guten Grenzflächeneigenschaften, so sind Anwendungen denkbar, welche die elektronischen Eigenschaften (Bandlücke 4H : 3.28eV), die hohe Sättigungsgeschwindigkeit für Elektronen oder die hohe Durchbruchfeldstärke ebenso ausnutzen wie die hohe chemische und mechanische Stabilität. Wir optimieren die Grenzflächeneigenschaften von 4H-SiC-Oberflächen durch ein funktionales Hetero-Oxid. Dessen Architektur beginnt mit einer Oxynitrid-Schicht (2nm) in welcher der Stickstoff in geringer Konzentration zur Passivierung von Grenzflächenzuständen fungiert. Der Sauerstoff dient dazu, eine reaktive Silikatphase durch die Wechselwirkung mit dem anschließend aufgebrachten Praseodymoxid zu bilden. Die dielektrischen Eigenschaften des Hetero-Oxides werden im wesentlichen bestimmt durch die DK des Seltenen-Erd-Oxides. Eine spektroskopische Methode zur zerstörungsfreien Grenzflächenanalyse wird eingesetzt um den Verlauf der atomaren Zusammensetzung im Bereich der heterogenen Grenzflächen ( 3nm) zu bestimmen und reproduzierbar einzustellen. Diese Methode benutzt die variable Anregungsenergie eines Undulatorstrahlrohres bei BESSY. Sie kann im Rahmen des SPP auch anderen Arbeitsgruppen zur Verfügung gestellt werden. Die elektrischen Eigenschaften werden im Rahmen des Projektes ausschließlich an MOSiC-Dioden überprüft.