PEEM und Kelvin-AFM-Untersuchungen an dielektrischen Schichten für organische Feldeffekttransistoren

Im Projektvorschlag将在OFET-Schichtfolgen duchgeführt中创建一种新的方法。他说：“这是一件非常重要的事情。”每一个特征是一个索米特将定义的问题，在Vergleich Zweier的方法，并在一个潜在的潜在梯度的内部哈尔(zwitchen der源极和排水沟-电气)的ermöglichen(MikrokelvinMethode和PEEM)。这些都是我们所不能接受的，也不是最好的，也不是最好的。A der Grizfläche zwitchen DEM Halbleiter-Material and DEM Dielektrikum wird die Rauhigkeit Folge der Herstellungs参数überprüft MIT AFM-Messungen.他说：“这是一件非常重要的事情。”他说：“这是我的工作，也是最好的工作。”在全聚合物Bauelemente的基础上，我们发现了一种新的特性--BEWGLICHKIT，Sättigangsstrom，Durchgriff。这是一个很好的估计，因为他们的表演是错误的。麻省理工学院将在化学方面保持稳定。在这一过程中，我们发现了一些变化，比如格伦兹夫兰和凯鹏华盈两个独立的分支机构。对材料和器件的性能进行了优化，给出了源极和漏极电势的最佳选择，并提出了相应的解决方案。

Im Projektvorschlag wird zunächst eine methodische Entwicklung der spektroskopischen Charakterisierung von Grenzflächen in OFET-Schichtfolgen durchgeführt. Dabei stehen die Einflüsse der Rauhigkeit und der Reaktivität im Mittelpunkt. Nach erfolgter Charakterisierung erfolgt an somit wohldefinierten Proben ein Vergleich zweier Methoden, die beide eine Abbildung von Potentialgradienten innerhalb des Kanals (zwischen der Source- und der Drain- elektrode) ermöglichen (Mikrokelvinmethode und PEEM). AFM und PES werden eingesetzt, um die Grenzflächen zu charakterisieren, die im Aufbau von OFET- Schichtfolgen auftreten. An der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter-Material und dem Dielektrikum wird die Rauhigkeit als Folge der Herstellungsparameter überprüft mit AFM-Messungen. Die beobachteten Rauhigkeiten werden mit den Herstellungsparametern korreliert. Ziel ist es, möglichst glatte Oberflächen zu erreichen, um den Einfluss der Rauhigkeit der Grenzflächen auf die elektrischen Eigenschaften der Bauelemente zu bestimmen und letztere zu optimieren. Ein Ziel ist auch herauszufinden, inwieweit die Rauhigkeit und die Reaktivität Grenzen vorgeben für die charakteristischen elektrischen Kenndaten (Beweglichkeit, Sättigungsstrom, Durchgriff) der all-polymer Bauelemente. Es ist zu bestimmen, ob durch die vorgegebenen Prozessschritte eine Begrenzung der performance erfolgt. Mit PES wird die chemische Stabilität an der Grenzfläche kontrolliert. Durch variable Austrittstiefen können diese Untersuchungen auch an verborgenen Grenzflächen durchgeführt werden, solange die Schichtdicken der Isolationsschichten kleiner als 2nm sind. Nach erfolgreicher Optimierung der Materialien und der Präparationsbedingungen kann die Potential-Verteilung zwischen der Source und der Drain Elektrode über Source-Drain Kanal mit der Mikrokelvinmethode und PEEM abgebildet werden.