In-situ Experimente im Transmissionselektronenmikroskop zu den Mechanismen des resistiven Schaltens in Oxiden für nicht-flüchtige Datenspeicher

透射电子显微镜中的原位实验研究非易失性数据存储氧化物中的电阻切换机制

• 批准号: 16318811
• 负责人: Professor Dr. Herbert Schröder
• 金额: --
• 依托单位: PGI-7: Elektronische Materialien
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/16318811?language=en
• 关键词: situ; Experimente; im; Transmissionselektronenmikroskop; zu

Zur schnellen Informationsspeicherung werden zur Zeit überwiegend „dynamic random access memories (DRAMs) eingesetzt, z. B. als Arbeitsspeicher im PC. Diese ladungsbasierten, dielektrischen Speicher leiden mit zunehmender Integration und somit abnehmender Dicke des Dielektrikums durch erhöhte Leckströme an Ladungsverlusten und sind generell flüchtige Speicher. Sie müssen deshalb in zukünftigen Chipgenerationen ersetzt werden, bevorzugt durch neue, nicht-flüchtige Speicherbauelemente, die in der Halbleiterindustrie und in zahlreichen Forschungsinstituten intensiv untersucht werden. Gute Chancen werden widerstandsbasierten (resistiven) Speicherbauelementen gegeben, bei denen die Information durch bei kleinen elektrischen Spannungen oder Strömen stabile, aber unterschiedlich große Widerstandswerte gespeichert und ausgelesen wird. Durch Anlegen von höheren Spannungen oder Strömen kann zwischen den mindestens zwei Widerstandsniveaus geschaltet, also Information geschrieben werden. Dieses Phänomen ( resistive switching ) wurde unter anderem bei einfachen (Metall-)Oxiden wie SiO2 und TiO2 oder Mischoxiden mit Perowskitstruktur wie SrZrO3 beobachtet. Da der mikroskopische Vorgang des Umschaltens weitgehend ungeklärt ist, soll mit dem hier vorgestellten Forschungsvorhaben versucht werden, durch direkte Beobachtung bei in-situ Experimenten in einem Transmissionselektronenmikroskop (TEM) mikrostrukturelle Veränderungen auf der Nanometer-Skala mit dem Widerstandsschalten zu korrelieren. Dazu werden in einem speziellen Halter im TEM Proben mikrostrukturell untersucht, an denen gleichzeitig elektrische 4-Punktmessungen (Spannung, Strom, Widerstand) in Abhängigkeit von weiteren Parametern (El. Feld, Temperatur, Zeit, Geometrie) vorgenommen werden.

动态随机存取存储器（DRAM）是一种新型的存储信息的快速韦尔登技术。B。在PC上工作。在此基础上，电传动系统通过集成和迪凯将电传动系统集成在一起，使电传动系统更加强大，从而使电传动系统更加通用。他们必须在韦尔登的芯片生产中，通过新的、不含特殊成分的技术，在半导体工业和Zahlreichen Forschungsinstituten intensiv untersucht韦尔登中进行深入研究。通过小规模的电气扩展或稳定的Strömen，可以获得韦尔登基于特殊标准的信息，这是一个巨大的机会。从这里的Spannungen或Strömen可以了解到两种广泛的信息，也就是韦尔登。Dieses Phänomen（阻变）wurde unter anderem bei einfachen（Metall-）Oxiden wie SiO2 und TiO2 or der Mischoxiden mit Perowskitstruktur wie SrZrO3 beobachtet.韦尔登Dazu韦尔登in einem speziellen Halter im TEM Proben mikrostrukturell untersucht，an denen gleichzeitig elektrische 4-Punktmessungen（Spannung，Strom，Widerstand）in Abhängigkeit von weiteren Parameter（El.费尔德，温度，时间，几何）vorgenommen韦尔登。