In-situ Experimente im Transmissionselektronenmikroskop zu den Mechanismen des resistiven Schaltens in Oxiden für nicht-flüchtige Datenspeicher

Zur Schnellen InformationsSpeicherung是Zur Zeitüberwiegend“Dynamic Random Access Memory(DRAM)eingesetzt，z.B.ALS ArbeitsSpeicher in PC”。他说：“这是一件非常重要的事情，我不能接受。”在Zukünftigen ChipGenerationen ersetzt中的Sie Müssen被淘汰，在Zahreichen Forschungs Intensiv Untersiv Intensiv Intensiv Untersiv中死亡。我们有更广泛的基础，更广泛的基础，更广泛的信息，更多的信息，更稳定，更广泛的信息。在此基础上，我们将为您提供更多的信息。在SiO_2和TiO_2的金属氧化物和氧化物的夹杂下，发生了阻性开关。在纳米技术的传输过程中，我们进行了大量的现场实验。Dazu在abhänGigkeit von weiteren参数(El.Feld，Temperatur，Zeit，Geometrie)被困住了。

Zur schnellen Informationsspeicherung werden zur Zeit überwiegend „dynamic random access memories (DRAMs) eingesetzt, z. B. als Arbeitsspeicher im PC. Diese ladungsbasierten, dielektrischen Speicher leiden mit zunehmender Integration und somit abnehmender Dicke des Dielektrikums durch erhöhte Leckströme an Ladungsverlusten und sind generell flüchtige Speicher. Sie müssen deshalb in zukünftigen Chipgenerationen ersetzt werden, bevorzugt durch neue, nicht-flüchtige Speicherbauelemente, die in der Halbleiterindustrie und in zahlreichen Forschungsinstituten intensiv untersucht werden. Gute Chancen werden widerstandsbasierten (resistiven) Speicherbauelementen gegeben, bei denen die Information durch bei kleinen elektrischen Spannungen oder Strömen stabile, aber unterschiedlich große Widerstandswerte gespeichert und ausgelesen wird. Durch Anlegen von höheren Spannungen oder Strömen kann zwischen den mindestens zwei Widerstandsniveaus geschaltet, also Information geschrieben werden. Dieses Phänomen ( resistive switching ) wurde unter anderem bei einfachen (Metall-)Oxiden wie SiO2 und TiO2 oder Mischoxiden mit Perowskitstruktur wie SrZrO3 beobachtet. Da der mikroskopische Vorgang des Umschaltens weitgehend ungeklärt ist, soll mit dem hier vorgestellten Forschungsvorhaben versucht werden, durch direkte Beobachtung bei in-situ Experimenten in einem Transmissionselektronenmikroskop (TEM) mikrostrukturelle Veränderungen auf der Nanometer-Skala mit dem Widerstandsschalten zu korrelieren. Dazu werden in einem speziellen Halter im TEM Proben mikrostrukturell untersucht, an denen gleichzeitig elektrische 4-Punktmessungen (Spannung, Strom, Widerstand) in Abhängigkeit von weiteren Parametern (El. Feld, Temperatur, Zeit, Geometrie) vorgenommen werden.