SBIR Phase I: Novel AlGaN-Based Structures for High-Efficiency and High-Power, Deep Ultraviolet Emitters
SBIR 第一阶段:用于高效、高功率、深紫外发射器的新型 AlGaN 结构
基本信息
- 批准号:0319870
- 负责人:
- 金额:$ 10万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:2003
- 资助国家:美国
- 起止时间:2003-07-01 至 2004-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
`This Small Business Innovation Research Phase I project is directed toward the development of a nitride-based semiconductor laser operating at 280 nm or shorter. In Phase I, high-efficiency and high power ultraviolet light emitting diodes (UV LED), incorporating novel AlGaN quantum-well (QW) structures, will be demonstrated as the proof of concept. The LED structure will overcome most of the current challenges in AlGaN-based UV emitters. These challenges include enhanced p-type doping of the cladding layer and reduction of the non-radiative recombination in the QW layer. The LED structure has unique advantage of transporting carriers through miniband of a short-period high-Al-fraction alloy superlattice. In this structure, the desired UV wavelength can be obtained by adjusting QW parameters such as well thickness and Al mole fraction. The research will be carried out by a joint effort consisting of the III-N molecular beam epitaxy (MBE) group and the semiconductor group.Semiconductor ultraviolet (UV) optical sources have a wide variety of applications in polymer curing, water purification, white light generation, projection displays, high-recording-density compact disk data storage, photolithography, biological agent detection, and non-line-of-sight covert communications
该小型企业创新研究第一阶段项目旨在开发工作在280 nm或更短波长的氮化物基半导体激光器。在第一阶段,高效率和高功率紫外线发光二极管(UV LED),采用新型AlGaN量子阱(QW)结构,将作为概念验证。LED结构将克服AlGaN基UV发射器目前面临的大部分挑战。 这些挑战包括包覆层的增强的p型掺杂和QW层中的非辐射复合的减少。该LED结构具有通过短周期高铝分数合金超晶格的迷你带传输载流子的独特优势。在这种结构中,所需的紫外波长可以通过调整量子阱参数,如阱厚度和Al摩尔分数来获得。半导体紫外光源在聚合物固化、水净化、产生白色光、投影显示、高记录密度光盘数据存储、光刻、生物制剂检测和非视线隐蔽通信等方面有着广泛的应用
项目成果
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