STTR Phase I: Epitaxial Nanostructured AlGaN for High Efficiency UV Emitters

STTR 第一阶段:用于高效紫外线发射器的外延纳米结构 AlGaN

基本信息

  • 批准号:
    0930710
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 14.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2009-07-01 至 2010-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This Small Business Technology Transfer Research Phase I project is directed toward the development of a high-efficiency and high-power AlGaN-based semiconductor light emitting diode (LED), operating at 300nm or shorter, for a wide range of applications including air and water purification, polymer curing, fluorescent spectroscopy, secure optical communications and biological and chemical hazard monitoring. These devices will be developed using molecular beam epitaxy (MBE) for low-cost and high-yield production on large-diameter substrates. Aluminum Gallium Nitride UltraViolet optical sources offer the possibility of compact, light-weight, low-cost, low-power-consumption optoelectronic systems that would enable a new generation of systems for applications that include biodetection, non-line-of-sight covert communications, sterilization, and air and water purification. If a low-cost and long-life LEDs with UV light emission below 280 nm is developed the application to water purification alone could represent a very large market.This award is funded under the American Recovery and Reinvestment Act of 2009 (Public Law 111-5).
该小型企业技术转让研究第一阶段项目旨在开发一种高效率和高功率的AlGaN基半导体发光二极管(LED),其工作波长为300 nm或更短,应用范围广泛,包括空气和水净化,聚合物固化,荧光光谱,安全光通信以及生物和化学危害监测。这些器件将使用分子束外延(MBE)在大直径衬底上进行低成本和高产量生产。氮化铝镓紫外线光源提供了紧凑,重量轻,低成本,低功耗的光电系统的可能性,这将使新一代系统的应用,包括生物检测,非视线隐蔽通信,消毒,空气和水净化。如果开发出低成本和长寿命的LED,其紫外光发射低于280 nm,那么仅在水净化方面的应用就可以代表一个非常大的市场。该奖项是根据2009年美国复苏和再投资法案(公法111-5)资助的。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Amir Dabiran其他文献

Graded barrier AlGaN/AlN/GaN heterostructure for improved 2-dimensional electron gas carrier concentration and mobility
  • DOI:
    10.1007/s13391-014-4067-9
  • 发表时间:
    2014-11-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.600
  • 作者:
    Palash Das;Nripendra N. Halder;Rahul Kumar;Sanjay Kr. Jana;Sanjib Kabi;Boris Borisov;Amir Dabiran;Peter Chow;Dhrubes Biswas
  • 通讯作者:
    Dhrubes Biswas

Amir Dabiran的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Amir Dabiran', 18)}}的其他基金

SBIR Phase I: High Efficiency, Wide-Bandgap Photocathodes for Solar-Blind UV Photon Counting and Imaging
SBIR 第一阶段:用于日盲紫外光子计数和成像的高效宽带隙光电阴极
  • 批准号:
    0539593
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Novel AlGaN-Based Structures for High-Efficiency and High-Power, Deep Ultraviolet Emitters
SBIR 第一阶段:用于高效、高功率、深紫外发射器的新型 AlGaN 结构
  • 批准号:
    0319870
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: High Sensitivity, Tunable GaN/AlGaN Multiple Quantum Well UV Photodetectors
SBIR 第一阶段:高灵敏度、可调谐 GaN/AlGaN 多量子阱紫外光电探测器
  • 批准号:
    0215236
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant

相似国自然基金

Baryogenesis, Dark Matter and Nanohertz Gravitational Waves from a Dark Supercooled Phase Transition
  • 批准号:
    24ZR1429700
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
ATLAS实验探测器Phase 2升级
  • 批准号:
    11961141014
  • 批准年份:
    2019
  • 资助金额:
    3350 万元
  • 项目类别:
    国际(地区)合作与交流项目
地幔含水相Phase E的温度压力稳定区域与晶体结构研究
  • 批准号:
    41802035
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    12.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于数字增强干涉的Phase-OTDR高灵敏度定量测量技术研究
  • 批准号:
    61675216
  • 批准年份:
    2016
  • 资助金额:
    60.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于Phase-type分布的多状态系统可靠性模型研究
  • 批准号:
    71501183
  • 批准年份:
    2015
  • 资助金额:
    17.4 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
纳米(I-Phase+α-Mg)准共晶的临界半固态形成条件及生长机制
  • 批准号:
    51201142
  • 批准年份:
    2012
  • 资助金额:
    25.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
连续Phase-Type分布数据拟合方法及其应用研究
  • 批准号:
    11101428
  • 批准年份:
    2011
  • 资助金额:
    23.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
D-Phase准晶体的电子行为各向异性的研究
  • 批准号:
    19374069
  • 批准年份:
    1993
  • 资助金额:
    6.4 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

STTR Phase I: Silicon-Integrated Epitaxial Barium Titanate (BaTiO3) Chips for Photonics Applications
STTR 第一阶段:用于光子学应用的硅集成外延钛酸钡 (BaTiO3) 芯片
  • 批准号:
    2322389
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
High-quality hetero-epitaxial AlN research by newly proposed high temperature metalorganic vapor phase epitaxy
通过新提出的高温有机金属气相外延进行高质量异质外延AlN研究
  • 批准号:
    20H02643
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
EAGER: Collaborative Research: Epitaxial Stabilization of Polar Epsilon-phase Gallium Oxide Thin Films
EAGER:合作研究:极性 Epsilon 相氧化镓薄膜的外延稳定性
  • 批准号:
    1931652
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
EAGER: Collaborative Research: Epitaxial Stabilization of Polar Epsilon-phase Gallium Oxide Thin Films
EAGER:合作研究:极性 Epsilon 相氧化镓薄膜的外延稳定性
  • 批准号:
    1931610
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Development of electroactive materials through the analysis of electronic phase diagrams of epitaxial transition-metal oxides
通过分析外延过渡金属氧化物的电子相图开发电活性材料
  • 批准号:
    15H03881
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Room-temperature solid-phase epitaxial crystallization of wide-gap semiconducting Ga2O3 thin films
宽带隙半导体Ga2O3薄膜的室温固相外延结晶
  • 批准号:
    26630306
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
SBIR Phase I: An Enhanced Epitaxial Crystal Growth Method To Fabricate MTJ Having Ultra-Low Magnetic Damping
SBIR 第一阶段:一种增强外延晶体生长方法,用于制造具有超低磁阻尼的 MTJ
  • 批准号:
    1345392
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Fabrication of high-quality graphene by liquid phase epitaxial growth
液相外延生长高品质石墨烯
  • 批准号:
    25600031
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
SBIR Phase I: Development of Large-Area Crystal-Aligned Substrates for Epitaxial Graphene
SBIR第一阶段:开发用于外延石墨烯的大面积晶体排列基板
  • 批准号:
    1315805
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Investigation of atomic displacement in isotopically enriched semiconductor multilayer structures induced by ion implantation and solid phase epitaxial recrystallization processes
研究离子注入和固相外延再结晶过程引起的同位素富集半导体多层结构中的原子位移
  • 批准号:
    212034921
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 14.91万
  • 项目类别:
    Research Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了