Vertical magneto-resistive devices made from hybrid metal/molecules/metal multi-layer systems

由混合金属/分子/金属多层系统制成的垂直磁阻器件

• 批准号: 166262019
• 负责人: Professor Dr. Oliver G. Schmidt
• 金额: --
• 依托单位: Professur Materialsysteme der Nanoelektronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2016-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/166262019?language=en
• 关键词: Vertical; magneto; resistive; devices; made

Spin-polarisierbare Moleküle in Tunnelbarrieren können von externen Magnetfeldern manipuliert werden und als echte Spin-Ventile betrieben werden, entweder für die Erzeugung oder die Kontrolle von hochgradig spin-polarisierten elektrischen Strömen. Transport durch solche Moleküle ist bis jetzt auf Metal/Molekül/Metal oder – in deutlich geringerem Ausmaß - auf Metal/Molekül/Halbleiter-Kontakte beschränkt. Der optimale Fall, wäre die Herstellung eines Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontaktes, um die einzigartigen Möglichkeiten der Bandstruktur gezielt dotierter Halbleiter ausnutzen zu können. In erster Nährung, würde die Barrierenhöhe in einem solchen Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontakt der Energiedifferenz zwischen der Bandkante des Leitungs-, bzw. Valenzbandes und des LUMO, bzw. des HOMO - je nach der Dotierung des Halbleiters - entsprechen. Kann die Barriere über die Dotierungsart des Halbleiters eingestellt werden, könnte der Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontakt genutzt werden, um den Landungsträgerfluss durch das magnetische Molekül mittels der Dotierhöhe der beiden Halbleiterelektroden zu kontrollieren. Dies würde zum Beispiel Transportstudien durch einen p-dotierten/Molekül/n-dotierten Kontakt erlauben, der neuartige Eigenschaften in seiner I-V Interbandtunneldiodenkennlinie zeigen würde. Des Weiteren wäre eine Technik, die hochintegrative Halbleiter/SAM/Halbleiter Bauelemente ermöglichen könnte von großer Bedeutung. Während die hoch-qualitative Herstellung von Moleküllagen auf Halbleitersubstraten gut etabliert ist (und damit die Herstellung guter Basiskontakte), ist es immer noch eine große Herausforderung, äquivalent gute Gegenkontakte mittels Halbleiter zu realisieren, was bis dato nicht erreicht wurde. Das Ziel dieses Projektes ist es deshalb – erstmals - Molekül-basierte Halbleiter/SAM/Halbleiter Spin-Ventile herzustellen und die Transporteigenschaften solcher vertikalen, aber auch von horizontalen Bauelementen zu untersuchen.

隧道屏障中的自旋极化分子可通过外部磁场操纵韦尔登和韦尔登之间的自旋通风来实现，从而可用于高自旋极化电子束的控制或调节。Transport durch solche Moleküle ist bis jetzt auf Metal/Molekül/Metal oder - in deutlich geringerem Ausmaiden- auf Metal/Molekül/Halbleiter-Kontakte beschränkt. Der optimale Fall，wäre die Herstellung eines Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontaktes，um die einzigartigen Möglichkeiten der Bandstruktur gezielt dotierter Halbleiter ausnutzen zu können.在第一阶段，我们将在一个解决方案Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontakt der Energiedifferentiz zwischen der Bandkante des Leitungs-bzw中设置障碍。Valenzbandes und des LUMO，bzw.我会把他们的名字记下来。可以将巴里埃置于一个韦尔登的Dotierungsart中，Halbleiters/Molekül/Halbleiter-Kontakt genutzt韦尔登，通过将磁力Molekül mittels der Dotierhöhe der beiden Halbleiterkontroden zu trollieren来控制Landungsträgerfluss。Dies würde zum Beispiel Transportstudien durch einen p-dotierten/Molekül/n-dotierten Kontakt erlauben，der neuartige Eigenschaften in seiner I-V Interbandtunneldiodenkennlinie zeigen würde. Des Weiteren wäre eine Technik，die hochintegrated Halbleiter/SAM/Halbleiter Bauelemente ermöglichen könnte von großer Bedeutung.当高质量的半导体衬底上的半导体材料形成时（以及半导体衬底上的半导体材料形成时），它仍然是一个大的半导体材料，同样的半导体材料也是一个实际的半导体材料，这是不可能的。这两个项目都是基于分子的Halbleiter/SAM/Halbleiter自旋通风系统的设计，运输系统可以垂直，也可以水平运输。