Vertical magneto-resistive devices made from hybrid metal/molecules/metal multi-layer systems

自旋极化在隧道外磁场中的作用和自旋极化的相互作用是不存在的，它是一种自旋极化的控制。运输工具/金属订单L/哈尔布赖特-Kontakte Bontakte Beschränkt.在最好的秋天，我们看到了哈尔布利特/L/哈尔布利特-科纳塔茨，以及哈尔布利特和哈尔布赖特之间的关系。在Nährung，würde die Barrierenhöhe in einem solchen Halbleiter/MoleküL/Halbleiter-Kontakt der EnergieDifferenz zwitchen der Bandkante des Leitungs-，BZW.Valenzband es des LUMO，bzw.des Homo-je nach der Dotierung des Halbleiters-entsprechen.您的位置：我也知道>地区>哈尔布利特>哈尔布利特市/L/哈尔布利特市/哈尔布利特市/莫勒克伦特市/哈尔布利特市/哈尔布利特市/霍尔布利特市/哈尔布利特市/哈尔布利特市。在第一至第五章中，L先生/L先生/他的同事们将为他们的工作带来新的机遇。DES Weiteren wäre eine Technik，Des weteren wäre eine Technik，die hochs集成Halbleiter/SAM/Halbleiter Bauelemente ermöglichen könnte von groüer Bedeutung.他说：“我不知道这是怎么回事，我不知道这是怎么回事，我不知道这是什么意思。这是一个非常重要的项目

Spin-polarisierbare Moleküle in Tunnelbarrieren können von externen Magnetfeldern manipuliert werden und als echte Spin-Ventile betrieben werden, entweder für die Erzeugung oder die Kontrolle von hochgradig spin-polarisierten elektrischen Strömen. Transport durch solche Moleküle ist bis jetzt auf Metal/Molekül/Metal oder – in deutlich geringerem Ausmaß - auf Metal/Molekül/Halbleiter-Kontakte beschränkt. Der optimale Fall, wäre die Herstellung eines Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontaktes, um die einzigartigen Möglichkeiten der Bandstruktur gezielt dotierter Halbleiter ausnutzen zu können. In erster Nährung, würde die Barrierenhöhe in einem solchen Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontakt der Energiedifferenz zwischen der Bandkante des Leitungs-, bzw. Valenzbandes und des LUMO, bzw. des HOMO - je nach der Dotierung des Halbleiters - entsprechen. Kann die Barriere über die Dotierungsart des Halbleiters eingestellt werden, könnte der Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontakt genutzt werden, um den Landungsträgerfluss durch das magnetische Molekül mittels der Dotierhöhe der beiden Halbleiterelektroden zu kontrollieren. Dies würde zum Beispiel Transportstudien durch einen p-dotierten/Molekül/n-dotierten Kontakt erlauben, der neuartige Eigenschaften in seiner I-V Interbandtunneldiodenkennlinie zeigen würde. Des Weiteren wäre eine Technik, die hochintegrative Halbleiter/SAM/Halbleiter Bauelemente ermöglichen könnte von großer Bedeutung. Während die hoch-qualitative Herstellung von Moleküllagen auf Halbleitersubstraten gut etabliert ist (und damit die Herstellung guter Basiskontakte), ist es immer noch eine große Herausforderung, äquivalent gute Gegenkontakte mittels Halbleiter zu realisieren, was bis dato nicht erreicht wurde. Das Ziel dieses Projektes ist es deshalb – erstmals - Molekül-basierte Halbleiter/SAM/Halbleiter Spin-Ventile herzustellen und die Transporteigenschaften solcher vertikalen, aber auch von horizontalen Bauelementen zu untersuchen.