Raman investigations of In(Ga)As/Al(Ga)As self-assembled quantum dot structures: from ensembles to single quantum dots

In(Ga)As/Al(Ga)As 自组装量子点结构的拉曼研究：从整体到单个量子点

• 批准号: 166177096
• 负责人: Professor Dr. Dietrich R. T. Zahn
• 金额: --
• 依托单位: Laboratory of Physical Chemistry of Semiconductor Surface and Semiconductor
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/166177096?language=en
• 关键词: Raman; investigations; Ga; Al; self

Auf Quantenpunkten basierende Strukturen und die Kenntnis ihrer elektronischen und Schwingungseigenschaften sind unverzichtbare Voraussetzungen für die praktische Realisierung von neuartigen (opto-)elektronischen Bauelementen mit herausragender Performance. Dieses Projekt ist dem Studium der Schwingungs- und elektronischen Eigenschaften von In(Ga)As-Quantenpunktensembles, die in einer Al(Ga)As-Matrix mit unterschiedlichem Ga-Gehalt eingebettet sind, und der Entwicklung von Methoden für das Studium von elementaren Anregungen eines einzelnen Quantenpunkts gewidmet. Die Ergebnisse werden zur praktischen Realisierung von Quantenpunkten mit kleiner Größe, verbesserter Uniformität, kontrollierbarer Zusammensetzung und Morphologie sowie vorhersagbaren elektronischen Eigenschaften beitragen. Ramanspektroskopie dient als primäre Methode zum Studium der Schwingungs- und elektronischen Eigenschaften. Durch Positions- und Intensitätsanalyse der Ramanlinien und ihres Polarisationsverhaltens wird der Einfluss des „Confinements“, der Spannungsverteilung und der Nanostrukturierung auf akustische und optische Phononenmoden, einschließlich der „confined“, Grenz- und Oberflächenmoden in nulldimensionalen Strukturen bestimmt. Resonante und oberflächenverstärkte Ramanstreuung werden genutzt, um Ramansignale von frisch gewachsenen und speziell aufbereiteten Arrays mit niedriger Flächendichte zu verstärken. Dadurch werden Informationen zum bisher noch nicht gemessenen Spektrum der elementaren Anregungen in einzelnen Quantendots erhalten.

Auf Quantenpunkten basierende Strukturen und die Kenntnis ihrer elektronischen und Schwingungseigenschaften sind unverzichtbare Voraussetzungen für die praktische Realisierung von neuartigen（opto-）elektronischen Bauelementen mit herausragender Performance.本课题是对In（Ga）As量子点群的振动和电子特性的研究，在Al（Ga）As基体中引入了一种特殊的Ga-Gehalt，并对研究方法进行了改进。该工程韦尔登，以实践中实现的量子点与小Größe，verbesserter uniformität，控制Zusammensetzung和形态学sowie vorhersagbaren elektronischen Eigenschaften beitragen。Ramanspektroskopie dient als primäre Methode zum Studium der Schwingungs- und elektronischen Eigenschaften.拉曼线性和其极化的位置和强度分析将研究”限制“、跨度和声学和光学声子模型上的纳米结构的影响，以及”限制”、Grenz和Oberflächenmoden在零维结构中的影响。共振和oberflächenverstärkte Ramanstreuung韦尔登genutzt，um Ramansignale von frisch gewachsenen and speziell aufbearkten Arrays mit niedriger Flächenverstärken zu verstärken.数据库韦尔登提供的信息还没有在一个数量级上对基本的需求进行统计。

项目成果

CdZnS quantum dots formed by the Langmuir–Blodgett technique

• DOI: 10.1116/1.4810782
• 发表时间: 2013-06
• 期刊: Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
• 作者: A. Milekhin;N. Yeryukov;L. Sveshnikova;T. Duda;D. Protasov;A. Gutakovskii;S. A. Batsanov;N. Surovtsev;S. Adichtchev;C. Himcinschi;Volodymir Dzhagan;F. Haidu;D. Zahn

Raman Scattering for Probing Semiconductor Nanocrystal Arrays with a Low Areal Density

• DOI: 10.1021/jp210720v
• 发表时间: 2012-08-16
• 期刊: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
• 影响因子: 3.7
• 作者: Milekhin, Alexander G.;Yeryukov, Nikolay A.;Zahn, Dietrich R. T.
• 通讯作者: Zahn, Dietrich R. T.

Surface- and tip-enhanced resonant Raman scattering from CdSe nanocrystals.

• DOI: 10.1039/c4cp05087h
• 发表时间: 2015-08
• 期刊: Physical chemistry chemical physics : PCCP
• 作者: E. Sheremet;A. Milekhin;Raul D. Rodriguez;Thomas Weiss;Maxim Nesterov;E. Rodyakina;O. Gordan;L. S

Study of phonons in self-assembled InAs quantum dots embedded in an InGaAlAs matrix

嵌入 InGaAlAs 基体中的自组装 InAs 量子点中声子的研究

• DOI: 10.1016/j.physe.2013.10.023
• 发表时间: 2014
• 期刊: Physica E-low-dimensional Systems & Nanostructures
• 影响因子: 3.3
• 作者: Y. Kamikawa-Shimizu;R. Patterson;A. Milekhin;K. Akahane;Y. Shoji;D.R.T. Zahn;Y. Okada;G. Conibeer
• 通讯作者: G. Conibeer

Raman, AFM, and TEM profiling of QD multilayer structures

QD 多层结构的拉曼、AFM 和 TEM 分析

• DOI: 10.1088/2053-1591/2/3/035003
• 发表时间: 2015
• 期刊: Materials Research Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: E. Sheremet;A. Milekhin;R.D. Rodriguez;D. Dmitriev;A. Toropov;A. Gutakovskii;D. Dentel;W. Grünewald;M. Hietschold;D.R.T. Zahn
• 通讯作者: D.R.T. Zahn