Reversibles Durchstimmen der elektronischen Transporteigenschaften in oxidischen leitfähigen Nanostrukturen zur Anwendung im Bereich der druckbaren Elektronik

Ziel des Projekts ist die Untersuchung der Mechanismen，die der oberflächenladungsinduzierten Variation der elektronischen Transporteigenschaften von leitfähigen Oxiden mit hoher spezifischer Oberfläche zugrunde liegen sowie deren Eignung hinsichtlich der Anwendung im Bereich der druckbaren Elektronik. Unsere bisherigen Ergebnisse，welche belegen，dass Transporteigenschaften nanopartikulärer oxidischer Systeme reversibel und dynamisch kontrolliert（durchgestimmt）韦尔登können，bilden die Basis für dieses Vorhaben.研究结果表明，在纳米化学过程中，一种用于场效应晶体管（JFET，junction field-effect transistor），一种用于In_2O_3：Sn（ITO）纳米颗粒卡纳尔和一种用于栅介质的凝胶聚合物薄膜。这种化学方法的特点是，在超高真空（UHV）技术的基础上，不需要再使用任何固定材料，而材料和密封件可以在电子设备上进行固定。Folgende Schwerpunkte liegen dem Projekt zugrunde：实现了一种具有有机纳米颗粒卡纳尔的大功率晶体管。这是一种通用的、具有方向性的Zielsetzung方法，它研究了纳米结构氧化物电介质中的电子输运，并确定了电子输运的主要特征，如电子输运的角度（Modulation der Oberflächenladungsträgerstroute），vollständiges Abschnüren elektrischer Leitungspfade，vergrößerte Fremdatomstroute，Oberflächen- und Kornzenstreuung.Korrelation zwischen Ladungsträgerstroute，mittlerer freier Weglänge，charakteristischer morphologischer Eigenschaften（z.B. Durchmesser von Partikeln und Einschnürungen im Fall nanopartikulärer Aggregate;迪凯von Nanodrähten; etc.）und der Größe der oberflächenladungsinduzierten Variation des elektronischen Transports. In situ Untersuchung der mikroskopischen Prozesse an der geladenen Oberfläche，wie z.B.或局部结构和/或局部拉通结构。

Ziel des Projekts ist die Untersuchung der Mechanismen, die der oberflächenladungsinduzierten Variation der elektronischen Transporteigenschaften von leitfähigen Oxiden mit hoher spezifischer Oberfläche zugrunde liegen sowie deren Eignung hinsichtlich der Anwendung im Bereich der druckbaren Elektronik. Unsere bisherigen Ergebnisse, welche belegen, dass Transporteigenschaften nanopartikulärer oxidischer Systeme reversibel und dynamisch kontrolliert (durchgestimmt) werden können, bilden die Basis für dieses Vorhaben. Ein anwendungsbezogenes Resultat unserer vorangegangenen Studien ist ein in nasschemisch prozessierter, einfach herstellbarer Niederspannungs-Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET, junction field-effect transistor), in welchem In2O3:Sn (ITO) Nanopartikel als Kanal und ein Gel-Polymer-Feststoffelektrolyt als Gate-Dielektrikum zum Einsatz kommen. Diese Art von nasschemisch verarbeiteten Bauteilen zeichnet sich dadurch aus, dass sie im Gegensatz zu Ultrahochvakuum (UHV) Techniken nicht mit hohen Anschaffungskosten verbunden sind, wodurch diese Materialien und Herstellungsverfahren vielversprechende Anwärter für die Anwendung im Bereich der druckbaren Elektronik sind. Folgende Schwerpunkte liegen dem Projekt zugrunde:Realisierung eines vollständig gedruckten Feldeffekttransistors mit anorganischem nanopartikulärem Kanal.Diese anwendungsorientierte Zielsetzung erfordert ein allgemeines, umfassendes Verständnis des ladungsinduzierten elektronischen Transportes in nanostrukturierten oxidischen elektrischen Leitern.Identifizierung der zugrunde liegenden Phänomene für die Abhängigkeit der elektronischen Transporteigenschaften von der angelegten Ladung, wie z.B.Bandverbiegung (Modulation der Oberflächenladungsträgerdichte), vollständiges Abschnüren elektrischer Leitungspfade, vergrößerte Fremdatomdichte, Oberflächen- und Korngrenzenstreuung.Korrelation zwischen Ladungsträgerdichte, mittlerer freier Weglänge, charakteristischer morphologischer Eigenschaften (z.B. Durchmesser von Partikeln und Einschnürungen im Fall nanopartikulärer Aggregate; Dicke von Nanodrähten; etc.) und der Größe der oberflächenladungsinduzierten Variation des elektronischen Transports.In-situ Untersuchung der mikroskopischen Prozesse an der geladenen Oberfläche, wie z.B. der lokalen Struktur und/oder lokaler Ladungszustände.